參數(shù)資料
型號： NEL200101-24
廠商： NEC Corp.
英文描述： NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR L Band Power Amplifier
中文描述： NPN硅外延晶體管L波段功率放大器
文件頁數(shù)： 2/12頁
文件大?。?/td> 88K
代理商： NEL200101-24
2
NEL200101-24
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T
A
= 25 C)
PARAMETER
SYMBOL
SPECIFIED CONDITION
MIN.
TYP.
MAX.
UNIT
Collector to Emitter Cutoff
Current
I
CES
V
CE
= 24 V
1
mA
Collector to Emitter Voltage
(Base to Emitter Registor = 10
)
V
CER
I
C
= 1 mA, R = 10
30
85
V
Collector to Emitter Voltage
(Open Base)
V
CEO
I
C
= 1 mA
18
22
V
Collector to Base Voltage
(Open Emitter)
V
CBO
I
C
= 1 mA
45
85
V
Emitter to Base Voltage
(Open Collector)
V
EBO
I
C
= 3 mA
3
4.4
V
DC Forward Current Gain
h
FE
V
CE
= 5 V, I
C
= 0.1 A
30
100
150
Output Capacitance
C
ob
V
CE
= 24 V, f = 1 MHz
3
pF
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PDF描述
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