參數(shù)資料
型號： NEL200101-24
廠商： NEC Corp.
英文描述： NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR L Band Power Amplifier
中文描述： NPN硅外延晶體管L波段功率放大器
文件頁數(shù)： 3/12頁
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代理商： NEL200101-24
NEL200101-24
3
PERFORMANCE SPECIFICATIONS (T
A
= 25 C)
CLASS AB OPERATION
PARAMETER
SYMBOL
SPECIFIED CONDITION
MIN.
TYP.
MAX.
UNIT
Output Power
P
IdB
f = 1.97 GHz, Iq = 20 mA,
V
CC
= 24 V, CLASS AB
2.5
W
Collector Efficiency
η
c
f = 1.97 GHz, P
out
= P
IdB
, Iq = 20 mA,
V
CC
= 24 V, CLASS AB
54
%
Linear Gain
GL
f = 1.97 GHz, P
in
= 0.04 W, Iq = 20 mA,
V
CC
= 24 V, CLASS AB
8.8
dB
3rd Order Intermodulation
IM
3
f = 1.97 GHz,
f = 100 kHz, 2 W PEP,
V
CC
= 24 V, Iq = 20 mA, CLASS AB
–33
dBc
CLASS A OPERATION
PARAMETER
SYMBOL
SPECIFIED CONDITION
MIN.
TYP.
MAX.
UNIT
Output Power
P
IdB
f = 1.97 GHz, Iq = 100 mA,
V
CC
= 20 V, CLASS A
0.5
0.7
W
Collector Efficiency
η
c
f = 1.97 GHz, P
out
= P
IdB
, Iq = 100 mA,
V
CC
= 20 V, CLASS A
30
%
Linear Gain
GL
f = 1.97 GHz, P
in
= 0.01 W, Iq = 100 mA,
V
CC
= 20 V, CLASS A
10.8
dB
3rd Order Intermodulation
IM
3
f = 1.97 GHz,
f = 100 kHz, 0.5 W PEP,
V
CC
= 20 V, Iq = 100 mA, CLASS A
–36
dBc
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PDF描述
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NEL2012F03-24 NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR L BAND POWER AMPLIFIER
NEL2035F03-24 NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR L Band Power Amplifier
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