參數(shù)資料
型號(hào)： NE961R500
廠商： NEC Corp.
英文描述： 0.5 W X, Ku-BAND POWER GaAs MES FET
中文描述： 0.5蠟質(zhì)，Ku波段功率GaAs場(chǎng)效應(yīng)晶體管
文件頁數(shù)： 9/12頁
文件大?。?/td> 62K
代理商： NE961R500
Preliminary Data Sheet P13775EJ2V0DS00
9
NE960R2 SERIES
[MEMO]
相關(guān)PDF資料
PDF描述
NE962R575 0.5 W X, Ku-BAND POWER GaAs MES FET
NE97733 PNP SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR
NE97733-T1 PNP SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR
NE97833 PNP SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR
NE97833-T1 PNP SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
NE962R575 制造商:NEC 制造商全稱:NEC 功能描述:0.5 W X, Ku-BAND POWER GaAs MES FET
NE97733 功能描述:射頻雙極小信號(hào)晶體管 PNP High Frequency RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
NE97733-A 功能描述:射頻雙極小信號(hào)晶體管 PNP High Frequency RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
NE97733-T1 制造商:California Eastern Laboratories (CEL) 功能描述:Trans GP BJT PNP 12V 0.05A 3-Pin SOT-23 T/R
NE97733-T1-A 功能描述:射頻雙極小信號(hào)晶體管 PNP High Frequency RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
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