參數(shù)資料
型號(hào)： NE8500100
廠商： NEC Corp.
英文描述： 1 W C-BAND POWER GaAs FET N-CHANNEL GaAs MES FET
中文描述： 1瓦C波段砷化鎵場(chǎng)效應(yīng)管N溝道砷化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管
文件頁(yè)數(shù)： 4/6頁(yè)
文件大?。?/td> 41K
代理商： NE8500100
NE85001 SERIES
4
S-PARAMETER
V
DS
= 10 V, I
DS
= 200 mA, V
GS
= –1.260 V, I
G
= 0.0 mA, R
G
= 1 k
FREQUENCY
GHz
S
11
S
21
S
12
S
22
MAG
ANG
MAG
ANG
MAG
ANG
MAG
ANG
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0.829
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133.9
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111.6
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47.0
5.9
–7.6
–21.4
–28.5
–35.9
–50.4
–62.9
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PDF描述
NE8500100-RG 1 W C-BAND POWER GaAs FET N-CHANNEL GaAs MES FET
NE8500199 1 W C-BAND POWER GaAs FET N-CHANNEL GaAs MES FET
NE8500200-WB 2 W C-BAND POWER GaAs FET N-CHANNEL GaAs MES FET
NE85002 2 W C-BAND POWER GaAs FET N-CHANNEL GaAs MES FET
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參數(shù)描述
NE8500100_00 制造商:NEC 制造商全稱:NEC 功能描述:C-BAND MEDIUM POWER GaAs MESFET
NE8500100-RG 制造商:NEC 制造商全稱:NEC 功能描述:1 W C-BAND POWER GaAs FET N-CHANNEL GaAs MES FET
NE8500100-WB 制造商:NEC 制造商全稱:NEC 功能描述:1 W C-BAND POWER GaAs FET N-CHANNEL GaAs MES FET
NE8500199 功能描述:射頻GaAs晶體管 1W C Band MESFET RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技術(shù)類型:pHEMT 頻率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪聲系數(shù): 正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源電壓 VDS: 閘/源擊穿電壓:- 8 V 漏極連續(xù)電流:3 A 最大工作溫度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安裝風(fēng)格: 封裝 / 箱體:
NE85002 制造商:NEC 制造商全稱:NEC 功能描述:2 W C-BAND POWER GaAs FET N-CHANNEL GaAs MES FET
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