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參數資料
| 型號： | NE76000L |
| 廠商： | NEC Corp. |
| 英文描述： | LOW NOISE L TO Ku BAND GaAs MESFET |
| 中文描述： | 低噪聲L降至Ku波段功率GaAs MESFET |
| 文件頁數： | 6/6頁 |
| 文件大?。?/td> | 52K |
| 代理商： | NE76000L |
NE76000 (CHIP)
(Units in
μ
m)
NE76000
PART NUMBER
NE76000L
NE76000
IDSS SELECTION (mA)
50 to 80
15 to 50
ORDERING INFORMATION
Note: All dimensions are typical unless otherwise stated.
OUTLINE DIMENSIONS
(Units in
μ
m)
EXCLUSIVE NORTH AMERICAN AGENT FOR RF, MICROWAVE & OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTORS
CALIFORNIA EASTERN LABORATORIES
Headquarters 4590 Patrick Henry Drive Santa Clara, CA 95054-1817 (408) 988-3500 Telex 34-6393 FAX (408) 988-0279
24-Hour Fax-On-Demand: 800-390-3232 (U.S. and Canada only) Internet: http://WWW.CEL.COM
DATA SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE
PRINTED IN USA ON RECYCLED PAPER -8/98
Bonding Pad Area Chip Thickness: 140
μ
m
±
20
μ
m
46
52
30
48
49
55
42
330
±
33
450
±
45
130
33
119
62
25
GATE
DRAIN
GATE
DRAIN
S
O
U
R
C
E
S
O
U
R
C
E
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
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