參數(shù)資料
型號(hào)： NE722S01-T1B1
廠商： NEC Corp.
英文描述： NECs C TO X BAND N-CHANNEL GaAs MES FET
中文描述： 鄰舍C至X波段N溝道砷化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管
文件頁(yè)數(shù)： 4/6頁(yè)
文件大?。?/td> 128K
代理商： NE722S01-T1B1
NE722S01
TYPICAL SCATTERING PARAMETERS
(T
A
= 25
°
C)
FREQUENCY
S
11
S
21
S
12
S
22
GHz
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
5.5
6.0
6.5
7.0
7.5
8.0
8.5
9.0
9.5
10.0
10.5
11.0
11.5
12.0
12.5
13.0
13.5
14.0
14.5
15.0
15.5
16.0
16.5
17.0
17.5
18.0
MAG
0.912
0.876
0.828
0.784
0.737
0.699
0.660
0.620
0.583
0.547
0.516
0.496
0.500
0.510
0.526
0.540
0.553
0.566
0.576
0.592
0.608
0.640
0.665
0.693
0.718
0.744
0.759
0.756
0.750
0.738
0.728
0.721
0.721
ANG
-44.0
-56.1
-68.0
-79.3
-89.5
-99.3
-109.0
-119.0
-130.6
-143.8
-158.5
-173.7
172.6
159.9
148.4
138.4
129.9
120.6
111.3
101.8
92.8
85.2
79.1
73.3
69.3
64.8
59.6
55.5
51.0
45.4
40.9
36.4
32.5
MAG
3.100
3.037
2.935
2.819
2.696
2.589
2.499
2.420
2.355
2.283
2.196
2.098
2.016
1.920
1.834
1.749
1.676
1.608
1.542
1.470
1.401
1.325
1.256
1.183
1.111
1.045
0.966
0.893
0.839
0.777
0.714
0.676
0.624
ANG
136.2
124.9
113.9
103.7
94.2
85.3
76.6
67.9
59.4
50.1
41.0
32.2
23.7
15.3
7.2
-0.6
-7.9
-15.8
-23.5
-31.1
-38.4
-45.7
-52.7
-59.7
-66.4
-73.3
-79.7
-85.4
-91.0
-96.7
-101.5
-105.7
-109.8
MAG
0.077
0.091
0.105
0.115
0.124
0.130
0.136
0.140
0.146
0.148
0.151
0.149
0.152
0.150
0.151
0.151
0.152
0.156
0.157
0.157
0.158
0.159
0.160
0.158
0.162
0.163
0.159
0.159
0.160
0.158
0.158
0.156
0.158
ANG
59.0
51.2
42.9
36.2
30.0
24.7
19.1
14.1
9.1
3.8
-1.6
-6.6
-10.1
-13.6
-17.3
-20.3
-23.2
-26.3
-29.8
-32.9
-35.7
-38.0
-41.3
-44.5
-47.0
-49.5
-53.4
-55.8
-57.6
-61.4
-63.1
-65.9
-68.4
MAG
0.659
0.629
0.597
0.570
0.546
0.529
0.514
0.495
0.475
0.447
0.408
0.366
0.331
0.298
0.274
0.265
0.275
0.297
0.312
0.328
0.340
0.339
0.341
0.356
0.386
0.421
0.474
0.516
0.563
0.601
0.624
0.628
0.625
ANG
-30.2
-38.0
-46.4
-53.5
-60.9
-67.2
-73.6
-79.6
-85.2
-91.5
-97.0
-103.7
-110.8
-120.4
-133.2
-147.9
-160.7
-172.7
178.5
171.0
163.5
155.6
145.5
133.8
122.3
111.6
104.4
98.7
95.8
92.8
89.4
86.9
82.2
NE722S01
V
DS
= 3.0 V, I
DS
= 10 mA
MAG = Maximum Available Gain
MSG = Maximum Stable Gain
Note:
1. Gain Calculation:
MAG =
|S
21
|
|S
12
|
K - 1
).
(
K
±
= S
11
S
22
- S
21
S
12
,
When K
≤
1, MAG is undefined and MSG values are used. MSG =
|S
21
|
|S
12
|
, K =
1 + |
| - |S
11
| - |S
22
|
2 |S
12
S
21
|
2
相關(guān)PDF資料
PDF描述
NE734 NPN SILICON GENERAL PURPOSE TRANSISTOR
NE73430 NPN SILICON GENERAL PURPOSE TRANSISTOR
NE73430-T1 NPN SILICON GENERAL PURPOSE TRANSISTOR
NE73435 NPN SILICON GENERAL PURPOSE TRANSISTOR
NE76000 LOW NOISE L TO Ku BAND GaAs MESFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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NE73412 制造商:未知廠家 制造商全稱(chēng):未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 50MA I(C) | TO-72
NE73416 制造商:未知廠家 制造商全稱(chēng):未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 50MA I(C) | CAN
NE73430 制造商:NEC 制造商全稱(chēng):NEC 功能描述:NPN SILICON GENERAL PURPOSE TRANSISTOR
NE73430-T1 制造商:NEC 制造商全稱(chēng):NEC 功能描述:NPN SILICON GENERAL PURPOSE TRANSISTOR
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