參數(shù)資料
型號: NE72218
廠商: NEC Corp.
英文描述: C to X BAND AMPLIFIER C to X BAND OSC N-CHANNEL GaAs MES FET
中文描述: C到X波段功率放大器C到X波段振蕩N溝道砷化鎵場效應(yīng)晶體管
文件頁數(shù): 4/12頁
文件大小: 60K
代理商: NE72218
Data Sheet P12750EJ3V0DS00
4
NE72218
S-PARAMETERS
MAG. AND ANG.
V
DS
= 3 V, I
D
= 10 mA
Frequency
S
11
S
21
S
12
S
22
MHz
MAG.
ANG.
MAG.
ANG.
MAG.
ANG.
MAG.
ANG.
2000
2500
3000
3500
4000
4500
5000
5500
6000
6500
7000
7500
8000
8500
9000
9500
10000
10500
11000
11500
12000
12500
13000
13500
14000
14500
15000
15500
16000
16500
17000
17500
18000
0.896
0.849
0.801
0.741
0.687
0.630
0.578
0.534
0.498
0.466
0.437
0.411
0.395
0.395
0.408
0.435
0.477
0.525
0.572
0.621
0.656
0.694
0.720
0.744
0.772
0.803
0.819
0.837
0.843
0.848
0.844
0.847
0.854
41.7
51.7
62.1
72.5
83.1
93.3
103.7
114.6
126.0
138.0
151.0
164.5
177.9
167.8
152.7
138.7
125.5
113.8
103.8
95.4
88.0
80.8
73.7
66.6
59.8
52.6
47.0
42.5
39.1
36.8
35.4
33.2
30.9
2.732
2.662
2.623
2.556
2.484
2.413
2.337
2.261
2.186
2.120
2.050
1.984
1.923
1.877
1.822
1.763
1.700
1.625
1.538
1.450
1.354
1.263
1.165
1.070
0.969
0.869
0.776
0.696
0.623
0.557
0.495
0.444
0.399
135.1
124.7
114.4
104.6
95.1
86.0
76.9
68.2
59.7
51.5
43.3
35.1
27.3
19.2
10.8
2.1
6.6
15.2
24.0
32.9
41.2
49.5
58.1
66.2
74.2
82.2
88.5
94.5
99.9
104.9
109.7
113.8
117.7
0.067
0.079
0.091
0.098
0.105
0.109
0.114
0.115
0.117
0.122
0.125
0.130
0.135
0.148
0.160
0.175
0.190
0.203
0.216
0.228
0.237
0.244
0.248
0.248
0.247
0.243
0.235
0.227
0.222
0.217
0.211
0.205
0.195
62.7
58.1
52.2
47.3
43.8
39.9
37.7
35.3
35.0
34.2
33.5
32.8
34.4
33.4
31.6
29.8
26.4
22.3
17.9
12.5
6.5
0.2
5.9
12.0
18.2
24.5
29.5
34.5
39.0
43.0
47.9
51.7
55.5
0.709
0.683
0.657
0.625
0.594
0.570
0.549
0.530
0.512
0.499
0.476
0.450
0.423
0.402
0.381
0.377
0.389
0.410
0.436
0.457
0.472
0.484
0.504
0.543
0.586
0.645
0.691
0.734
0.767
0.784
0.797
0.802
0.804
27.8
34.1
40.7
46.9
53.1
59.3
65.7
71.7
77.3
81.8
86.6
91.7
97.5
106.7
118.5
131.9
146.7
160.7
174.4
172.5
160.0
146.1
131.8
118.3
106.3
97.0
89.8
84.4
78.9
73.2
66.3
58.7
52.2
相關(guān)PDF資料
PDF描述
NE72218-T1 C to X BAND AMPLIFIER C to X BAND OSC N-CHANNEL GaAs MES FET
NE72218-T2 RES-MF 150 OHM 1/4W 1%
NE722S01 NECs C TO X BAND N-CHANNEL GaAs MES FET
NE722S01-T1 NECs C TO X BAND N-CHANNEL GaAs MES FET
NE722S01-T1B1 NECs C TO X BAND N-CHANNEL GaAs MES FET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
NE72218-T1 制造商:NEC 制造商全稱:NEC 功能描述:C to X BAND AMPLIFIER C to X BAND OSC N-CHANNEL GaAs MES FET
NE72218-T2 制造商:NEC 制造商全稱:NEC 功能描述:C to X BAND AMPLIFIER C to X BAND OSC N-CHANNEL GaAs MES FET
NE722S01 功能描述:射頻GaAs晶體管 C-X Band GaAs MESFET RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技術(shù)類型:pHEMT 頻率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪聲系數(shù): 正向跨導 gFS(最大值/最小值):4 S 漏源電壓 VDS: 閘/源擊穿電壓:- 8 V 漏極連續(xù)電流:3 A 最大工作溫度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安裝風格: 封裝 / 箱體:
NE722S01-T1 功能描述:射頻GaAs晶體管 C-X Band GaAs MESFET RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技術(shù)類型:pHEMT 頻率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪聲系數(shù): 正向跨導 gFS(最大值/最小值):4 S 漏源電壓 VDS: 閘/源擊穿電壓:- 8 V 漏極連續(xù)電流:3 A 最大工作溫度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安裝風格: 封裝 / 箱體:
NE722S01-T1B 功能描述:射頻GaAs晶體管 C-X Band GaAs MESFET RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技術(shù)類型:pHEMT 頻率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪聲系數(shù): 正向跨導 gFS(最大值/最小值):4 S 漏源電壓 VDS: 閘/源擊穿電壓:- 8 V 漏極連續(xù)電流:3 A 最大工作溫度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安裝風格: 封裝 / 箱體: