參數(shù)資料
型號: NE713
廠商: NEC Corp.
英文描述: L to Ku BAND LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL GaAs MES FET
中文描述: L降至Ku波段低噪聲放大器N溝道砷化鎵場效應(yīng)晶體管
文件頁數(shù): 7/16頁
文件大?。?/td> 92K
代理商: NE713
7
NE713
AMP. PARAMETERS [NE71383B]
V
DS
= 3 V, I
D
= 10 mA
FREQUENCY
MHz
500
1000
1500
2000
2500
3000
3500
4000
4500
5000
5500
6000
6500
7000
7500
8000
8500
9000
9500
10000
10500
11000
11500
12000
12500
13000
13500
14000
14500
15000
15500
16000
16500
17000
17500
18000
GUmax
dB
31.25
23.98
27.96
23.47
20.85
20.66
17.75
16.36
16.80
15.07
14.37
13.97
12.80
12.63
12.14
11.82
11.42
10.84
10.41
9.86
9.60
9.18
9.02
8.80
8.48
8.28
8.00
7.60
7.44
7.33
7.16
7.10
6.89
6.95
6.57
6.46
GAmax
dB
|S
21
|
2
dB
9.80
9.67
9.63
9.37
9.29
8.93
8.50
8.19
8.09
7.73
7.36
7.05
6.57
6.44
6.14
5.97
5.71
5.36
5.18
4.90
4.68
4.43
4.39
4.21
4.07
3.96
3.76
3.52
3.42
3.30
3.26
3.23
3.13
3.17
2.97
2.95
|S
12
|
2
dB
39.45
33.21
29.94
27.78
26.16
25.08
24.21
23.38
22.98
22.42
22.24
21.99
21.94
21.87
21.86
22.01
21.69
21.92
22.00
21.82
22.06
22.04
21.95
21.91
21.96
21.73
21.70
21.46
21.11
21.03
20.54
20.23
20.02
19.79
19.50
18.80
K
Delay
ns
.057
.057
.051
.051
.058
.042
.053
.050
.050
.038
.043
.037
.044
.039
.036
.043
.031
.043
.032
.033
.033
.036
.036
.032
.038
.033
.038
.033
.034
.032
.033
.034
.036
.039
.040
.039
Mason's U
dB
32.031
24.912
G1
dB
18.15
11.11
15.23
11.06
8.69
8.96
6.64
5.72
6.32
5.08
4.81
4.78
4.17
4.09
3.93
3.80
3.62
3.36
3.12
2.87
2.75
2.60
2.49
2.37
2.22
2.05
1.89
1.69
1.52
1.47
1.32
1.19
1.06
.99
.83
.71
G2
dB
3.29
3.19
3.10
3.03
2.88
2.78
2.60
2.45
2.40
2.26
2.20
2.13
2.05
2.10
2.07
2.05
2.10
2.12
2.10
2.09
2.17
2.14
2.14
2.22
2.19
2.27
2.35
2.39
2.50
2.56
2.58
2.68
2.70
2.79
2.77
2.80
.13
.32
.12
.21
.30
.27
.44
.48
.42
.54
.58
.58
.70
.70
.74
.78
.78
.87
.95
1.01
1.06
1.13
1.15
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1.24
1.24
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1.28
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18.958
18.153
17.406
16.357
16.626
16.712
15.425
15.408
14.697
13.629
13.749
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13.671
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8.95
8.87
8.74
8.79
8.45
8.67
8.05
8.06
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PDF描述
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參數(shù)描述
NE71300 功能描述:射頻GaAs晶體管 Ku-K Band MESFET OBSOLETE BY MFG RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技術(shù)類型:pHEMT 頻率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪聲系數(shù): 正向跨導(dǎo) gFS(最大值/最小值):4 S 漏源電壓 VDS: 閘/源擊穿電壓:- 8 V 漏極連續(xù)電流:3 A 最大工作溫度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安裝風(fēng)格: 封裝 / 箱體:
NE71300L 制造商:NEC 制造商全稱:NEC 功能描述:LOW NOISE L TO K-BAND GaAs MESFET
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