參數(shù)資料
型號(hào)： NE713
廠商： NEC Corp.
英文描述： L to Ku BAND LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL GaAs MES FET
中文描述： L降至Ku波段低噪聲放大器N溝道砷化鎵場效應(yīng)晶體管
文件頁數(shù)： 3/16頁
文件大?。?/td> 92K
代理商： NE713
3
NE713
CHIP DIMENSIONS (Unit:
μ
m) [NE71300]
64
123
76
450
60
4
5
1
4
52
44
56
57
48
18
Source
Source
Gate
Gate
Drain
Drain
7
6
1
1
Thickness = 140
μ
m
: BONDING AREA
相關(guān)PDF資料
PDF描述
NE71300-L L to Ku BAND LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL GaAs MES FET
NE71300-M L to Ku BAND LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL GaAs MES FET
NE71300-N L to Ku BAND LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL GaAs MES FET
NE72218 C to X BAND AMPLIFIER C to X BAND OSC N-CHANNEL GaAs MES FET
NE72218-T1 C to X BAND AMPLIFIER C to X BAND OSC N-CHANNEL GaAs MES FET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
NE71300 功能描述:射頻GaAs晶體管 Ku-K Band MESFET OBSOLETE BY MFG RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技術(shù)類型:pHEMT 頻率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪聲系數(shù): 正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源電壓 VDS: 閘/源擊穿電壓:- 8 V 漏極連續(xù)電流:3 A 最大工作溫度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安裝風(fēng)格: 封裝 / 箱體:
NE71300L 制造商:NEC 制造商全稱:NEC 功能描述:LOW NOISE L TO K-BAND GaAs MESFET
NE71300-L 制造商:NEC 制造商全稱:NEC 功能描述:L to Ku BAND LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL GaAs MES FET
NE71300M 制造商:NEC 制造商全稱:NEC 功能描述:LOW NOISE L TO K-BAND GaAs MESFET
NE71300-M 制造商:NEC 制造商全稱:NEC 功能描述:L to Ku BAND LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL GaAs MES FET
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