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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | NE71300N |
| 廠商： | NEC Corp. |
| 英文描述： | LOW NOISE L TO K-BAND GaAs MESFET |
| 中文描述： | 低噪聲L至K波段GaAs MESFET器件 |
| 文件頁數(shù)： | 2/8頁 |
| 文件大小： | 91K |
| 代理商： | NE71300N |
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
1
(T
A
= 25
°
C)
SYMBOLS
PARAMETERS
UNITS
RATINGS
V
DS
Drain to Source Voltage
V
5
V
GD
Gate to Drain Voltage
V
-6
V
GS
Gate to Source Voltage
V
-5
I
DS
Drain Current
mA
I
DSS
P
IN
RF Input (CW)
dBm
+15
T
CH
Channel Temperature
°
C
175
T
STG
Storage Temperature
°
C
-65 to +175
P
T2
Total Power Dissipation
mW
400
Notes:
1. Operation in excess of any one of these parameters may result in
permanent damage.
2. With chip mounted on a copper heat sink.
TYPICAL PERFORMANCE CURVES
(T
A
= 25
°
C)
DC PERFORMANCE
Drain Voltage, V
DS
(V)
D
D
DRAIN CURRENT vs.
GATE TO SOURCE VOLTAGE
Gate to Source Voltage, V
GS
(V)
D
D
T
T
(
Ambient Temperature, T
A
(
°
C)
POWER DERATING CURVE
NE71300
400
300
200
100
0
50
100
150
200
N730
50
V
DS
= 3 V
40
30
20
10
0-2.0
-1.0
0
40
30
20
10
0
1
2
3
4
5
-0.6 V
-0.4 V
-0.2 V
V
GS
= 0 V
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NE71383B | L to Ku BAND LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL GaAs MES FET |
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| NE71300-M | L to Ku BAND LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL GaAs MES FET |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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| NE71383B | 功能描述:MOSFET KU-K BAND MESFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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| NE720_05 | 制造商:DBLECTRO 制造商全稱:DB Lectro Inc 功能描述:High sensitivity & reliability. |
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