參數(shù)資料
型號： NE698M01-T1
廠商： NEC Corp.
英文描述： NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR FOR MICROWAVE HIFH-GAIN AMPLIFICATION
中文描述： npn型外延硅晶體管的微波HIFH，增益放大
文件頁數(shù)： 7/8頁
文件大?。?/td> 60K
代理商： NE698M01-T1
FREQUENCY
f (MHz)
100
250
400
600
800
1000
1200
1400
1600
1800
2000
2500
3000
3500
4000
4500
5000
S
11
S
21
S
12
S
22
K MAG
1
ANG
(dB)
-4.3 0.29 32.8
-12.3 0.21
-19.1 0.27
-27.3 0.37
-34.3 0.48
-40.4 0.59
-45.9 0.70
-50.9 0.82
-55.9 0.93
-60.8 1.03
-65.7 1.12
-78.2 1.26
-90.8 1.25
-103.1 1.12
-114.1 0.95
-123.7 0.78
-132.1 0.63
MAG
0.852
0.828
0.786
0.713
0.629
0.548
0.478
0.415
0.364
0.321
0.289
0.253
0.266
0.305
0.355
0.406
0.451
ANG
-6.7
-18.7
-29.4
-42.9
-55.3
-66.7
-77.8
-88.4
-99.1
-110.6
-122.1
-151.7
-177.8
163.3
149.1
138.1
128.3
MAG
11.171
10.993
10.602
9.916
9.125
8.319
7.580
6.906
6.311
5.807
5.355
4.432
3.752
3.214
2.781
2.426
2.135
ANG
169.3
159.7
149.3
136.3
124.3
113.7
104.1
95.6
87.7
80.3
73.5
57.8
43.6
30.5
18.4
7.1
-3.3
MAG
0.006
20.014
0.021
0.029
0.035
0.039
0.042
0.044
0.046
0.047
0.048
0.052
0.060
0.072
0.088
0.108
0.130
ANG
80.8
76.4
69.7
62.0
55.7
51.0
47.9
45.9
44.9
45.2
46.0
51.3
57.1
61.1
62.7
61.9
59.6
MAG
0.969
0.954
0.922
0.871
0.816
0.765
0.722
0.686
0.658
0.636
0.621
0.604
0.610
0.634
0.665
0.701
0.735
28.9
27.0
25.3
24.1
23.3
22.5
21.9
21.4
19.9
18.4
16.2
15.0
14.4
15.0
13.5
12.2
TYPICAL SCATTERING PARAMETERS
(T
A
= 25
°
C)
V
CE
= 2 V, Ic = 5 mA
Coordinates in Ohms
Frequency in GHz
(V
CE
= 2 V, I
C
= 5 mA)
Note:
1. Gain Calculations:
MAG = Maximum Available Gain
MSG = Maximum Stable Gain
MAG =
|S
21
|
|S
12
|
K - 1
).
(
K
±
= S
11
S
22
- S
21
S
12
,
When K
≤
1, MAG is undefined and MSG values are used. MSG =
|S
21
|
|S
12
|
, K =
1 + |
| - |S
11
| - |S
22
|
2 |S
12
S
21
|
2
j50
j25
j10
0
-j10
-j25
-j50
-j100
j100
0
10
25
50
100
S
22
5 GHz
S
22
1 GHz
S
11
5 GHz
S
11
1 GHz
120
90
30
150
180
-150
-120
-90
-60
-30
0
S
12
5 GHz
S
21
1 GHz
60
S
12
1 GHz
S
21
5 GHz
NE698M01
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PDF描述
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NE-7 制造商:Richco 功能描述:
NE710 制造商:NEC 制造商全稱:NEC 功能描述:LOW NOISE Ku-K BAND GaAs MESFET
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