參數(shù)資料
型號(hào)： NE68939-T1
廠商： NEC Corp.
英文描述： NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR
中文描述： NPN硅外延晶體管
文件頁(yè)數(shù)： 2/2頁(yè)
文件大?。?/td> 27K
代理商： NE68939-T1
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
1
(T
A
= 25
°
C)
SYMBOLS
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
P
T
T
j
T
STG
PARAMETERS
Collector to Base Voltage
Collector to Emitter Voltage
Emitter to Base Voltage
Collector Current mA
Total Power Dissipation
Junction Temperature
Storage Temperature
UNITS
V
V
V
150
mW
°
C
°
C
RATINGS
9.0
6.0
2.0
200 (CW)
150
-65 to +150
Note:
1. Operation in excess of any one of these parameters may result
in permanent damage.
4
1.0
3
2.4
2
1.9
1.0
1
PART NUMBER
NE68939-T1
QTY
3K/REEL
Note:
1. Lead material: Cu
Lead plating: PbSn
ORDERING INFORMATION
FREQUENCY
(GH
Z
)
Z
IN
(
)
Z
OUT
(
)
1.9
7.85+j5.62
3.1+j11.6
21.9-j11.6
5.3-j5.7
0.9
IMPEDANCE LOOKING INTO DEVICE
V
CC
= 3.6 V, I
CQ
= I mA, CLASS AB
(2) TX Amplifier for PHS
(1) TX Amplifier for DECT
APPLICATION
+3 dBm
Po = 27 dBm
-14 dBm
P1 = 22 dBm
NE68839
NE68939
NE69039
μ
PC2771T
NE68939
NE69039
O
Input Power, Pin (dBm)
C
E
η
C
C
I
C
P
(
OUTPUT POWER, COLLECTOR
EFFICIENCY, COLLECTOR CURRENT
AND POWER GAIN VS. INPUT
POWER
f = 1.9 GH
Z
, V
CC
= 3.6V
I
C
= 1mA (Duty 1/8)
30
25
20
15
10
5
5
10
15
20
25
80
60
40
20
0
8
7
6
5
4
30
20
10
0
Pout
η
C
I
C
G
P
P
1dB
24.5
dbm
η
C
I
C
G
L
62
15
9.0
%
mA
db
TYPICAL DATA
f = 1.9 GHz, V
CC
= 3.6 V, I
CQ
= 1 mA, DUTY = 1/8
Z
IN
(
), Z
OUT
(
) DATA
j50
j25
j10
0
-j10
-j25
-j50
-j100
j100
0
Z
IN
Z
OUT
Z IN
Z OUT
NE68939
OUTLINE 39
RECOMMENDED P.C.B. LAYOUT
EXCLUSIVE NORTH AMERICAN AGENT FOR RF, MICROWAVE & OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTORS
CALIFORNIA EASTERN LABORATORIES
Headquarters
4590 Patrick Henry Drive
Santa Clara, CA 95054-1817
(408) 988-3500
Telex 34-6393
FAX (408) 988-0279
24-Hour Fax-On-Demand: 800-390-3232 (U.S. and Canada only)
Internet: http://WWW.CEL.COM
DATA SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE
07/05/2000
相關(guān)PDF資料
PDF描述
NE69039 NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR
NE69039-T1 NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR
NE696M01 NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR
NE698M01 NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR FOR MICROWAVE HIFH-GAIN AMPLIFICATION
NE698M01-T1 NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR FOR MICROWAVE HIFH-GAIN AMPLIFICATION
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參數(shù)描述
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NE69039 制造商:CEL 制造商全稱(chēng):CEL 功能描述:NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR
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NE69039-T1 制造商:NEC 制造商全稱(chēng):NEC 功能描述:NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR
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