參數(shù)資料
型號(hào)： NE685M03
廠商： NEC Corp.
英文描述： NPN SILICON TRANSISTOR
中文描述： NPN硅晶體管
文件頁(yè)數(shù)： 8/17頁(yè)
文件大?。?/td> 176K
代理商： NE685M03
NE68533
V
CE
= 0.5 V, I
C
= 0.5 mA
FREQUENCY
S
11
S
21
S
12
S
22
K
MAG
1
GHz
MAG
ANG
MAG
ANG
MAG
ANG
MAG
ANG
(dB)
TYPICAL SCATTERING PARAMETERS
(T
A
= 25
°
C)
V
CE
= 1.0 V, I
C
= 1.0 mA
0.1
0.4
0.8
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
4.0
V
CE
= 2.5 V, I
C
= 1.0 mA
0.968
0.887
0.708
0.618
0.432
0.304
0.233
0.208
0.243
-7.000
-31.300
-58.800
-70.000
-96.400
-122.100
-150.700
178.200
125.700
3.509
3.234
2.767
2.533
2.036
1.711
1.482
1.339
1.142
170.100
147.200
119.700
108.800
86.400
69.000
55.100
43.600
25.100
0.029
0.103
0.170
0.192
0.223
0.243
0.260
0.283
0.358
84.200
68.200
52.700
47.400
39.300
36.000
35.300
36.100
36.500
0.995
0.928
0.790
0.727
0.601
0.521
0.473
0.439
0.396
-5.800
-21.900
-37.900
-43.700
-55.000
-63.300
-71.100
-79.700
-100.200
0.103
0.231
0.443
0.544
0.767
0.948
1.071
1.122
1.097
20.828
14.969
12.116
11.203
9.605
8.476
5.929
4.625
3.140
0.1
0.4
0.8
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
0.972
0.932
0.803
0.730
0.560
0.434
0.355
0.322
-5.500
-27.300
-52.500
-63.900
-90.700
-116.300
-143.400
-171.000
1.901
1.813
1.670
1.582
1.382
1.218
1.095
1.020
170.500
149.900
122.400
110.500
85.700
66.500
51.200
39.300
0.035
0.129
0.222
0.254
0.299
0.310
0.305
0.291
85.600
69.000
52.000
45.100
31.600
22.800
17.500
17.400
0.998
0.955
0.856
0.803
0.686
0.604
0.558
0.522
-5.200
-19.900
-36.200
-42.800
-56.800
-67.900
-77.900
-89.000
0.089
0.202
0.396
0.486
0.681
0.855
1.000
1.125
17.349
11.478
8.764
7.944
6.648
5.943
5.449
3.302
0.1
0.4
0.8
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
4.0
0.965
0.899
0.735
0.647
0.459
0.320
0.233
0.185
0.201
-6.600
-28.400
-53.600
-64.000
-88.200
-110.600
-137.000
-167.900
131.100
3.502
3.250
2.835
2.618
2.135
1.797
1.559
1.404
1.194
170.700
149.500
123.300
112.700
90.500
73.100
59.000
47.600
28.900
0.024
0.087
0.146
0.166
0.196
0.216
0.234
0.258
0.337
83.800
70.400
55.900
50.800
43.200
40.500
40.400
41.900
42.900
0.997
0.942
0.823
0.767
0.651
0.576
0.531
0.498
0.459
-4.900
-18.800
-33.100
-38.300
-48.400
-55.900
-62.900
-70.400
-88.600
0.112
0.222
0.429
0.529
0.751
0.934
1.053
1.106
1.062
21.641
15.724
12.882
11.979
10.371
9.201
6.834
5.378
3.973
0.1
0.4
0.8
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
4.0
5.0
0.719
0.370
0.180
0.130
0.055
0.019
0.045
0.072
0.127
0.197
-23.600
-58.400
-70.900
-71.700
-66.900
16.800
61.700
68.000
71.700
70.300
21.206
11.262
6.280
5.142
3.540
2.757
2.272
1.983
1.625
1.421
153.800
112.100
91.400
85.100
72.600
62.400
53.100
45.000
30.200
16.400
0.020
0.056
0.096
0.117
0.168
0.220
0.270
0.319
0.410
0.493
77.800
68.700
68.900
68.400
65.900
62.100
57.600
52.800
43.000
32.800
0.909
0.570
0.428
0.400
0.363
0.341
0.324
0.310
0.283
0.244
-16.700
-34.900
-36.300
-36.900
-40.600
-45.900
-52.500
-60.200
-80.800
-108.000
0.289
0.762
0.960
0.994
1.033
1.037
1.038
1.027
1.008
0.993
30.254
23.034
18.157
16.429
12.121
9.798
8.062
6.928
5.448
4.597
V
CE
= 3.0 V, I
C
= 10 mA
NE685 SERIES
See notes on previous page.
Coordinates in Ohms
Frequency in GHz
(V
CE
= 2.5 V, I
C
= 1 mA)
20
10
5
4
3
2
1.5
1
.8
.6
.4
.2
-.2
-.4
-.6
-.8
-1
-1.5
-2
-3
-4
-5
-10
-20
0
20
10
1.5
.8
.6
.4
.2
5
4
S
11
3
2
1
S
22
0.1 GHz
0.1 GHz
S
22
4 GHz
S
11
4 GHz
90
270
180
225
315
135
45
0
3
2
1
.4
.3
.2
.1
S
12
0.1 GHz
S
21
4 GHz
S
21
0.1 GHz
S
12
4 GHz
相關(guān)PDF資料
PDF描述
NE685 SURFACE MOUNT NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR
NE685M23 NPN SILICON TRANSISTOR
NE685M13 NECs NPN SILICON TRANSISTOR
NE685M13-T3 NECs NPN SILICON TRANSISTOR
NE687 SURFACE MOUNT NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
NE685M03-A 功能描述:射頻雙極小信號(hào)晶體管 NPN Lo Noise Hi Gain RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
NE685M03-T1-A 功能描述:射頻雙極小信號(hào)晶體管 NPN Lo Noise Hi Gain RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
NE685M13 功能描述:射頻雙極小信號(hào)晶體管 NPN Lo Noise Hi Gain RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
NE685M13-A 功能描述:射頻雙極小信號(hào)晶體管 NPN Lo Noise Hi Gain RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
NE685M13-T3 制造商:California Eastern Laboratories (CEL) 功能描述:NPN Silicon Amplifier and Oscillator Transistor
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