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參數(shù)資料
| 型號： | NE685M03 |
| 廠商： | NEC Corp. |
| 英文描述： | NPN SILICON TRANSISTOR |
| 中文描述： | NPN硅晶體管 |
| 文件頁數(shù)： | 14/17頁 |
| 文件大?。?/td> | 176K |
| 代理商： | NE685M03 |
NE685 SERIES
NE68539 NONLINEAR MODEL
MODEL RANGE
Frequency:
Bias:
Date:
0.05 to 3.0 GHz
V
CE
= 0.5 V to 3.0 V, I
C
= 0.5 mA to 20 mA
6/12/96
Parameters
C
CB
C
CE
L
B
L
C
L
E
C
CBPKG
C
CEPKG
C
BEPKG
L
BX
L
CX
L
EX
68539
0.13e-12
0.14e-12
1.34e-9
0.7e-9
0.99e-9
0.08e-12
0.08e-12
0.01e-12
0.39e-9
0.39e-9
0.2e-9
ADDITIONAL PARAMETERS
UNITS
(1) Gummel-Poon Model
Parameters
Q1
Parameters
Q1
IS
BF
NF
VAF
IKF
ISE
NE
BR
NR
VAR
IKR
ISC
NC
RE
RB
RBM
IRB
RC
CJE
VJE
MJE
CJC
VJC
7e-16
109
1
15
0.19
7.9e-13
2.19
1
1.08
12.4
Infinity
0
2
1.3
10
8.34
0.009
10
0.4e-12
0.81
0.5
0.18e-12
0.75
MJC
XCJC
CJS
VJS
MJS
FC
TF
XTF
VTF
ITF
PTF
TR
EG
XTB
XTI
KF
AF
0.34
0
0
0.75
0
0.5
2e-12
5.2
4.58
0.011
0
1e-9
1.11
0
3
0
1
BJT NONLINEAR MODEL PARAMETERS
(1)
SCHEMATIC
Parameter
time
capacitance
inductance
resistance
voltage
current
Units
seconds
farads
henries
ohms
volts
amps
Base
Emitter
Collector
L
BX
L
B
L
EX
L
E
L
C
L
CX
C
CBPKG
C
CB
C
CE
C
CEPKG
C
BEPKG
Q1
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NE685 | SURFACE MOUNT NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR |
| NE685M23 | NPN SILICON TRANSISTOR |
| NE685M13 | NECs NPN SILICON TRANSISTOR |
| NE685M13-T3 | NECs NPN SILICON TRANSISTOR |
| NE687 | SURFACE MOUNT NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| NE685M03-A | 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 NPN Lo Noise Hi Gain RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel |
| NE685M03-T1-A | 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 NPN Lo Noise Hi Gain RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel |
| NE685M13 | 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 NPN Lo Noise Hi Gain RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel |
| NE685M13-A | 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 NPN Lo Noise Hi Gain RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel |
| NE685M13-T3 | 制造商:California Eastern Laboratories (CEL) 功能描述:NPN Silicon Amplifier and Oscillator Transistor |
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