參數(shù)資料
型號: NE685M03
廠商: NEC Corp.
英文描述: NPN SILICON TRANSISTOR
中文描述: NPN硅晶體管
文件頁數(shù): 3/17頁
文件大?。?/td> 176K
代理商: NE685M03
V
CE =
0.5
V
,
I
C =
0.5 mA
500
800
1000
V
CE =
1.0 V
,
I
C =
0.5 mA
500
800
1000
V
CE =
1.0
V
,
I
C =
1.0 mA
0.9
1.1
1.3
12.03
10.22
9.24
0.76
0.72
0.67
19
37
50
1.19
0.84
0.72
FREQ.
(MHz)
NF
OPT
(dB)
G
A
(dB)
Γ
OPT
MAG
ANG
Rn/50
NE68533
TYPICAL NOISE PARAMETERS
(T
A
= 25
C)
0.9
1.0
1.2
13.19
10.87
10.16
0.75
0.73
0.68
18
35
47
1.23
0.89
0.77
500
800
1000
2000
V
CE =
2.5
V
,
I
C =
3 mA
0.9
1.0
1.1
1.6
15.67
12.73
11.79
4.73
0.73
0.68
0.65
0.59
16
30
42
53
0.77
0.57
0.58
0.36
500
800
1000
2000
2500
1.07
1.13
1.30
1.43
1.63
18.37
14.40
13.15
7.48
6.59
0.61
0.55
0.56
0.42
0.24
14
19
35
40
69
0.54
0.39
0.40
0.34
0.22
500
800
1000
V
CE =
2.5
V
,
I
C =
1 mA
0.9
1.0
1.2
14.57
12.04
10.94
0.73
0.67
0.64
17
33
45
0.74
0.54
0.50
V
CE =
2.5
V
,
I
C =
0.3 mA
500
800
1000
V
CE =
2.5
V
,
I
C =
1.0 mA
1.42
1.58
1.70
13.3
9.7
8.0
0.80
0.72
0.64
18
32
43
2.52
1.40
1.29
FREQ.
(MHz)
NF
OPT
(dB)
G
A
(dB)
Γ
OPT
MAG
ANG
Rn/50
NE68539
TYPICAL NOISE PARAMETERS
(T
A
= 25
C)
500
800
1000
1500
2000
V
CE =
2.5
V
,
I
C =
3.0 mA
0.85
0.98
1.07
1.29
1.52
16.3
12.6
11.0
7.8
6.2
0.72
0.61
0.51
0.38
0.30
17
29
40
55
67
0.66
0.50
0.48
0.39
0.32
500
800
1000
1500
2000
2500
1.27
1.40
1.50
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14.1
10.9
8.6
6.8
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0.41
0.31
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17
25
26
21
10
-10
0.44
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0.29
0.26
0.22
500
800
1000
1500
2000
2500
1.17
1.30
1.39
1.69
2.00
2.33
18.2
14.9
13.2
10.0
7.6
5.8
0.63
0.51
0.34
0.23
0.17
0.16
19
29
33
28
13
-13
0.46
0.38
0.34
0.30
0.25
0.21
V
CE =
3
V
,
I
C =
5.0 mA
NE685 SERIES
相關(guān)PDF資料
PDF描述
NE685 SURFACE MOUNT NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR
NE685M23 NPN SILICON TRANSISTOR
NE685M13 NECs NPN SILICON TRANSISTOR
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參數(shù)描述
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NE685M03-T1-A 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 NPN Lo Noise Hi Gain RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
NE685M13 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 NPN Lo Noise Hi Gain RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
NE685M13-A 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 NPN Lo Noise Hi Gain RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
NE685M13-T3 制造商:California Eastern Laboratories (CEL) 功能描述:NPN Silicon Amplifier and Oscillator Transistor