參數(shù)資料
型號： NE685M03
廠商： NEC Corp.
英文描述： NPN SILICON TRANSISTOR
中文描述： NPN硅晶體管
文件頁數(shù)： 15/17頁
文件大?。?/td> 176K
代理商： NE685M03
OUTLINE DIMENSIONS
1
(Units in mm)
PACKAGE OUTLINE 18
(SOT-343)
OUTLINE 18
RECOMMENDED P.C.B. LAYOUT
PACKAGE OUTLINE 19
LEAD CONNECTIONS
1. Emitter
2. Base
3. Collector
LEAD CONNECTIONS
1. Emitter
2. Base
3. Collector
1.6
±
0.1
0.8
±
0.1
1
2
3
0.3 -0.05
LEAD 3 ONLY
0.2 0
-
1.0
0.6
0.75
±
0.05
0 to 0.1
0.15 -0.05
1.6
±
0.1
0.5
0.3 -0.05
(ALL LEADS)
2.1
±
0.2
1.25
±
0.1
1
2
3
0.15
0.9
±
0.1
0 to 0.1
0.15 -0.05
2.0
±
0.2
0.65
1.3
MARKING
1.7
3
2
1.3
0.65
0.8
1
0.6
OUTLINE 30
RECOMMENDED P.C.B. LAYOUT
OUTLINE 19
RECOMMENDED P.C.B. LAYOUT
0.6
4
0.8
3
1.7
2
1.25
1
1.3
3
2
1.0
0.5
0.6
1
0.6
PACKAGE OUTLINE 30
(SOT-323)
2.1
±
0.2
1.25
±
0.1
1
2
3
0.3
(L -0.05
0.3
0.9
±
0.1
0 to 0.1
0.15 -0.05
2.0
±
0.2
4
0.4
+0.10
1.3
+0.10
0.65
0.65
0.60
0.65
LEAD CONNECTIONS
1. Collector
2. Emitter
3. Base
4. Emitter
NE685 SERIES
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PDF描述
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NE685M23 NPN SILICON TRANSISTOR
NE685M13 NECs NPN SILICON TRANSISTOR
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參數(shù)描述
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NE685M03-T1-A 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 NPN Lo Noise Hi Gain RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
NE685M13 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 NPN Lo Noise Hi Gain RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
NE685M13-A 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 NPN Lo Noise Hi Gain RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
NE685M13-T3 制造商:California Eastern Laboratories (CEL) 功能描述:NPN Silicon Amplifier and Oscillator Transistor
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