參數(shù)資料
型號： NE68139R-T1
廠商： NEC Corp.
英文描述： NECs NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR
中文描述： 鄰舍NPN硅高頻晶體管
文件頁數(shù)： 6/20頁
文件大?。?/td> 218K
代理商： NE68139R-T1
TYPICAL COMMON EMITTER SCATTERING PARAMETERS
V
CE
= 8 V, I
C
= 20 mA
100
200
500
1000
1500
2000
3000
4000
5000
6000
7000
8000
9000
10000
11000
12000
100
200
500
1000
1500
2000
3000
4000
5000
6000
7000
8000
9000
10000
11000
12000
0.827
0.809
0.742
0.701
0.689
0.686
0.687
0.693
0.699
0.708
0.717
0.721
0.725
0.726
0.724
0.722
-20.8
-49.5
-101.1
-139.2
-156.6
-167.2
179.8
172.2
166.6
162.1
157.0
151.7
145.5
137.6
131.2
123.6
19.513
17.981
12.631
7.498
5.182
3.959
2.687
2.048
1.662
1.431
1.250
1.105
0.989
0.868
0.773
0.673
163.9
151.0
123.0
101.5
90.4
82.0
69.7
59.1
49.8
41.1
31.7
23.3
14.2
5.9
-2.0
-9.7
0.012
0.022
0.038
0.047
0.049
0.053
0.061
0.071
0.081
0.096
0.116
0.125
0.146
0.169
0.179
0.192
88.3
65.5
42.2
36.7
33.0
35.0
45.9
48.7
53.2
57.0
56.6
56.9
55.9
54.9
51.9
49.0
0.964
0.894
0.691
0.536
0.483
0.461
0.447
0.449
0.454
0.473
0.490
0.519
0.549
0.582
0.621 -104.8
0.663 -114.1
-7.0
-16.8
-27.4
-29.0
-28.6
-29.2
-33.6
-40.6
-48.0
-57.1
-66.8
-76.0
-86.4
-96.0
0.03
0.13
0.28
0.47
0.71
0.88
1.11
1.21
1.27
1.15
0.99
0.97
0.83
0.74
0.71
0.69
32.1
29.1
25.2
22.0
20.2
18.7
14.4
11.8
10.0
9.4
10.3
9.5
8.3
7.1
6.4
5.4
0.665
0.664
0.663
0.663
0.667
0.669
0.676
0.686
0.693
0.705
0.719
0.727
0.726
0.733
0.732
0.728
-47.0
-85.3
-135.8
-161.1
-171.7
-178.4
172.7
167.3
162.6
159.0
154.5
149.4
143.5
135.9
129.4
122.1
38.130
31.089
16.975
9.066
6.113
4.627
3.112
2.361
1.913
1.643
1.433
1.266
1.134
1.001
0.897
0.787
154.1
135.9
108.9
93.2
84.9
78.3
67.9
58.6
50.1
42.2
33.3
25.4
16.7
8.4
0.5
-7.1
0.011
0.017
0.025
0.028
0.036
0.042
0.054
0.071
0.086
0.103
0.123
0.133
0.153
0.171
0.185
0.197
90.0
70.3
45.4
49.5
49.6
53.2
59.2
62.6
63.5
65.1
63.2
60.6
60.4
57.3
53.9
51.8
0.885
0.753
0.504
0.404
0.377
0.369
0.361
0.362
0.372
0.386
0.405
0.433
0.464
0.500
0.546 -103.2
0.587 -112.6
-15.0
-26.0
-30.8
-27.0
-26.3
-26.6
-31.6
-38.5
-45.8
-55.5
-65.0
-74.2
-84.5
-94.4
0.01
0.12
0.45
0.82
0.97
1.10
1.25
1.21
1.19
1.08
0.94
0.91
0.84
0.76
0.71
0.72
35.4
32.6
28.3
25.1
22.3
18.5
14.6
12.5
10.8
10.3
10.7
9.8
8.7
7.7
6.9
6.0
S-Parameters include bond wires.
BASE: Total 1 wire (s), 1 per bond pad, 0.0122" (309
μ
m) long each wire.
COLLECTOR: Total 1 wire (s), 1 per bond pad, 0.008" (203
μ
m) long each wire.
EMITTER: Total 2 wire (s), 1 per side, 0.0194" (494
μ
m) long each wire.
WIRE: 0.0007" (17.7
μ
m) dia., gold.
Note:
1. Gain Calculations:
|S
21
|
|S
12
|
NE68100
V
CE
= 8 V, I
C
= 7 mA
FREQUENCY
S
11
S
21
S
12
S
22
K
MAG
1
(MHz)
MAG
ANG
MAG
ANG
MAG
ANG
MAG
ANG
(dB)
Coordinates in Ohms
Frequency in GHz
(V
CE
= 8 V, I
C
= 7 mA)
NE681 SERIES
MAG = Maximum Available Gain
MSG = Maximum Stable Gain
MAG =
K - 1
).
(
K
±
= S
11
S
22
- S
21
S
12
,
When K
≤
1, MAG is undefined and MSG values are used. MSG =
|S
21
|
|S
12
|
, K =
1 + |
| - |S
11
| - |S
22
|
2 |S
12
S
21
|
2
j50
j25
j10
0
-j10
-j25
-j50
-j100
j100
0
10
25
50
100
S
11
17 GHz
S
11
0.1 GHz
S
22
17 GHz
S
22
0.1 GHz
120
90
60
30
150
180
-150
-120
-90
-60
-30
0
20
15
10
0.5
0.4
0.3
0.2
S
21
0.1
S
12
17 GHz
S
12
0.1 GHz
17 GHz
S
21
0.1 GHz
S
2125
相關PDF資料
PDF描述
NE681M23 NPN SILICON TRANSISTOR
NE68519 NONLINEAR MODEL
NE68639-T1 SURFACE MOUNT NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR
NE686 SURFACE MOUNT NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR
NE68630-T1 SURFACE MOUNT NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
NE68139R-T1-A 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 NPN High Frequency RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
NE68139-T1 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 NPN High Frequency RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
NE68139-T1-A 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 NPN High Frequency RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
NE68139-T1-R37-A 制造商:CALIFORNIA EASTERN LABORATORIES 功能描述:NE68139 Series 10 V 9 GHz NPN Silicon High Frequency Transistor - SOT-23-3
NE681M03 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 USE 551-NE681M03-A RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
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