參數(shù)資料
型號(hào)： NE68139R-T1
廠商： NEC Corp.
英文描述： NECs NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR
中文描述： 鄰舍NPN硅高頻晶體管
文件頁(yè)數(shù)： 3/20頁(yè)
文件大?。?/td> 218K
代理商： NE68139R-T1
FREQ.
(MHz)
NF
OPT
(dB)
G
A
(dB)
Γ
OPT
MAG
ANG
Rn/50
500
1.24
9.26
0.73
42
1.70
800
1000
1.67
2.18
6.95
6.02
0.74
0.70
72
90
1.01
0.78
V
CE
= 2.5 V, I
C
= 1 mA
500
800
0.97
1.19
13.86
9.12
0.66
0.59
43
48
0.46
0.35
FREQ.
(MHz)
V
CE
= 2.5 V, I
C
= 0.3 mA
NF
OPT
(dB)
G
A
(dB)
Γ
OPT
MAG
ANG
Rn/50
500
1.48
10.23
0.74
43
1.35
800
1.90
10.15
0.72
79
0.92
1000
1500
V
CE
= 2.5 V, I
C
= 1 mA
2.15
2.70
9.00
4.46
0.69
0.66
99
126
0.60
0.38
NE68130
TYPICAL NOISE PARAMETERS
(T
A
= 25
°
C)
NE68100
TYPICAL NOISE PARAMETERS
(T
A
= 25
°
C)
FREQ.
(MHz)
V
CE
= 8 V, I
C
= 7 mA
NF
OPT
(dB)
G
A
(dB)
Γ
OPT
MAG
ANG
Rn/50
500
1.3
26.42
0.20
91
0.20
1000
2000
4000
1.45
2.1
3.25
20.54
14.41
7.76
0.20
0.22
0.42
148
178
-115
0.21
0.51
0.85
NE68119
TYPICAL NOISE PARAMETERS
(T
A
= 25
°
C)
SYMBOLS
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
T
J
PARAMETERS
Collector to Base Voltage
Collector to Emitter Voltage
Emitter to Base Voltage
Collector Current
Operating Junction
Temperature
Storage Temperature
UNITS
V
V
V
mA
RATINGS
20
10
1.5
65
°
C
°
C
150
2
T
STG
-55 to +150
3
Notes:
1. Operation in excess of any one of these parameters may result
in permanent damage.
2. T
J
for NE68135 and NE68100 is 200
°
C.
3. Maximum storage temperature for the NE68135 is
-65 to +150
°
C.
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
1
(T
A
= 25
°
C)
NE681 SERIES
V
CE
= 2.5 V, I
C
= 3 mA
500
1.00
17.28
0.47
44
0.25
800
1000
1500
2000
2500
1.06
1.16
1.46
1.80
2.15
14.35
12.69
9.50
7.70
6.03
0.44
0.43
0.39
0.35
0.35
83
100
130
177
-177
0.21
0.17
0.12
0.11
0.09
V
CE
= 8 V, I
C
= 7mA
500
1.30
20.34
0.29
50
0.27
1000
2000
3000
4000
1.40
1.80
2.50
3.60
13.96
8.56
5.64
4.50
0.25
0.25
0.48
0.67
84
155
-167
-135
0.18
0.16
0.10
0.20
FREQ.
(MHz)
NF
OPT
(dB)
G
A
(dB)
Γ
OPT
MAG
ANG
Rn/50
1000
1.1
17.33
0.28
71
0.22
2000
4000
1.6
3.4
13.60
9.25
0.37
0.51
160
-139
0.15
0.27
NE68135
TYPICAL NOISE PARAMETERS
(T
A
= 25
°
C)
V
CE
= 2.5 V, I
C
= 0.3 mA
V
CE
= 2.5 V, I
C
= 3 mA
500
800
1000
1500
2000
V
CE
= 3 V, I
C
= 5 mA
500
800
1000
1500
2000
2500
V
CE
= 8 V, I
C
= 7 mA
500
800
1000
1500
2000
2500
3000
1000
1.31
10.09
0.56
89
0.30
1500
1.71
7.99
0.50
131
0.16
0.92
1.02
1.11
1.42
1.82
17.19
14.23
12.78
10.30
8.24
0.49
0.40
0.38
0.39
0.36
39
68
87
134
165
0.28
0.17
0.14
0.08
0.11
1.00
1.10
1.19
1.40
1.70
2.05
19.00
15.57
13.91
11.25
9.08
7.62
0.37
0.31
0.30
0.33
0.32
0.36
43
71
89
139
166
-163
0.20
0.15
0.13
0.09
0.11
0.13
1.10
1.20
1.30
1.50
1.77
2.10
2.40
20.30
16.82
15.10
12.35
10.21
8.85
7.86
0.36
0.28
0.28
0.28
0.28
0.33 -166
0.44
39
64
81
130
158
0.22
0.16
0.14
0.11
0.12
0.14
0.16
-141
V
CE
= 8 V, I
C
= 7 mA
500
800
1000
1500
2000
2500
1.10
1.26
1.40
1.80
2.22
2.75
14.69
12.73
11.29
7.40
6.14
4.89
0.65
0.60
0.56
0.53
0.47
0.49
45
80
99
123
166
-166
0.42
0.30
0.24
0.17
0.12
0.08
相關(guān)PDF資料
PDF描述
NE681M23 NPN SILICON TRANSISTOR
NE68519 NONLINEAR MODEL
NE68639-T1 SURFACE MOUNT NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR
NE686 SURFACE MOUNT NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR
NE68630-T1 SURFACE MOUNT NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
NE68139R-T1-A 功能描述:射頻雙極小信號(hào)晶體管 NPN High Frequency RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
NE68139-T1 功能描述:射頻雙極小信號(hào)晶體管 NPN High Frequency RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
NE68139-T1-A 功能描述:射頻雙極小信號(hào)晶體管 NPN High Frequency RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
NE68139-T1-R37-A 制造商:CALIFORNIA EASTERN LABORATORIES 功能描述:NE68139 Series 10 V 9 GHz NPN Silicon High Frequency Transistor - SOT-23-3
NE681M03 功能描述:射頻雙極小信號(hào)晶體管 USE 551-NE681M03-A RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
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