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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | NE680M03 |
| 廠商： | NEC Corp. |
| 英文描述： | NPN SILICON TRANSISTOR |
| 中文描述： | NPN硅晶體管 |
| 文件頁數(shù)： | 15/19頁 |
| 文件大?。?/td> | 246K |
| 代理商： | NE680M03 |
NE680 SERIES
Parameters
Q1
Parameters
MJC
XCJC
CJS
VJS
MJS
FC
TF
XTF
VTF
ITF
PTF
TR
EG
XTB
XTI
KF
AF
Q1
0.64
0
0
0.75
0
0.5
8.7e-12
18
19.1
0.082
0
0.635e-9
1.11
0
3
0
1
IS
BF
NF
VAF
IKF
ISE
NE
BR
NR
VAR
IKR
ISC
NC
RE
RB
RBM
IRB
RC
CJE
VJE
MJE
CJC
VJC
3.84e-16
124.9
1.05
11.9
0.027
1.0e-14
2.17
1
1.05
Infinity
Infinity
0
2
0.6
17.9
1.02
4.01e-4
10.5
0.358e-12
0.71
0.5
0.162e-12
0.79
NE68033 NONLINEAR MODEL
SCHEMATIC
(1) Gummel-Poon Model
BJT NONLINEAR MODEL PARAMETERS
(1)
UNITS
Parameter
time
capacitance
inductance
resistance
voltage
current
Units
seconds
farads
henries
ohms
volts
amps
Parameters
C
CB
C
CE
L
B
L
E
C
CBPKG
C
CEPKG
C
BEPKG
L
BX
L
CX
L
EX
68033
0.08e-12
0.08e-12
0.65e-9
0.95e-9
0.1e-12
0.1e-12
0.01e-12
0.3e-9
0.5e-9
0.3e-9
ADDITIONAL PARAMETERS
MODEL RANGE
Frequency:
Bias:
Date:
0.05 to 3.0 GHz
V
CE
= 2.5 V to 6 V, I
C
= 0.3 mA to 20 mA
7/97
Base
Emitter
Collector
L
BX
L
B
L
EX
L
E
L
CX
C
CBPKG
C
CB
C
CE
C
CEPKG
C
BEPKG
Q1
Note:
This nonlinear model utilized the latest data available. See our Design Parameter Library at
www.cel.com
for this data.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
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| NE68519-T1 | SURFACE MOUNT NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR |
| NE68530-T1 | SURFACE MOUNT NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR |
| NE68533-T1 | SURFACE MOUNT NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR |
| NE68539-T1 | SURFACE MOUNT NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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| NE68118 | 功能描述:射頻雙極小信號(hào)晶體管 NPN High Frequency RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel |
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| NE68118-T1 | 制造商:NEC 制造商全稱:NEC 功能描述:NECs NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR |
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