參數(shù)資料
型號(hào)： NE662M16
廠商： NEC Corp.
英文描述： NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR
中文描述： NPN硅高頻晶體管
文件頁數(shù)： 9/10頁
文件大?。?/td> 93K
代理商： NE662M16
FREQUENCY
GHz
0.10
0.50
1.00
1.50
2.00
2.50
3.00
3.50
4.00
4.50
5.00
5.50
6.00
6.50
7.00
7.50
8.00
8.50
9.00
9.50
10.00
10.50
11.00
11.50
12.00
12.50
13.00
13.50
14.00
14.50
15.00
15.50
16.00
16.50
17.00
17.50
18.00
S
11
S
21
S
12
S
22
K
MAG
1
(dB)
35.8
28.8
25.1
22.5
19.4
17.1
15.4
14.1
13.1
12.2
11.5
10.8
10.2
9.7
9.2
8.8
8.4
8.1
7.8
7.7
7.6
7.7
8.2
8.1
7.9
7.6
7.5
7.3
7.2
6.6
6.0
5.8
5.2
4.4
3.7
2.9
2.2
MAG
0.478
0.420
0.377
0.361
0.356
0.356
0.366
0.383
0.405
0.429
0.449
0.464
0.474
0.485
0.498
0.514
0.533
0.558
0.586
0.616
0.643
0.669
0.691
0.709
0.725
0.746
0.766
0.787
0.809
0.829
0.847
0.864
0.875
0.879
0.885
0.888
0.887
ANG
-21.17
-95.65
-140.33
-167.18
173.00
155.15
139.53
125.38
112.90
101.89
91.80
82.65
73.73
64.85
55.95
47.03
38.18
29.93
22.10
14.75
8.23
1.93
-4.15
-10.52
-17.06
-23.83
-31.30
-39.12
-46.23
-53.03
-59.39
-65.18
-71.13
-77.09
-82.91
-89.06
-95.33
MAG
30.628
20.411
12.654
8.963
6.924
5.625
4.733
4.086
3.595
3.211
2.900
2.645
2.438
2.260
2.109
1.978
1.861
1.755
1.658
1.568
1.489
1.415
1.347
1.286
1.229
1.172
1.115
1.055
0.996
0.936
0.879
0.828
0.779
0.731
0.681
0.633
0.595
ANG
164.59 0.008
122.80 0.027
96.57 0.039
79.99 0.051
66.76 0.063
54.91 0.075
43.94 0.087
33.53 0.098
23.51 0.109
13.68 0.120
4.06 0.129
-5.30 0.138
-14.52 0.147
-23.66 0.155
-32.75 0.163
-41.81 0.170
-50.95 0.176
-60.07 0.181
-69.20 0.186
-78.26 0.190
-87.24 0.194
-96.42 0.196
-105.57 0.198
-114.82 0.200
-124.30 0.201
-133.88 0.202
-143.85 0.200
-153.89 0.196
-163.89 0.191
-173.90 0.186
176.00 0.180
165.89 0.173
155.45 0.166
144.58 0.158
133.70 0.148
122.64 0.137
112.04 0.129
MAG
ANG
77.90
55.26
50.55
48.74
45.98
42.06
37.36
32.17
26.52
20.61
14.46
8.45
2.28
-4.15
-10.60
-17.22
-23.96
-30.61
-37.43
-44.07
-50.92
-57.75
-64.56
-71.54
-78.71
-85.96
-93.76
-101.42
-108.56
-115.98
-123.53
-130.77
-138.24
-146.13
-153.64
-160.49
-167.16
MAG
0.920
0.608
0.413
0.338
0.304
0.287
0.276
0.268
0.265
0.266
0.271
0.278
0.285
0.291
0.287
0.279
0.262
0.244
0.224
0.206
0.191
0.178
0.166
0.153
0.135
0.110
0.084
0.066
0.063
0.078
0.102
0.122
0.141
0.160
0.188
0.225
0.263
ANG
-18.24
-50.41
-66.91
-75.34
-82.29
-89.18
-96.76
-105.14
-114.14
-123.63
-132.09
-139.34
-145.15
-150.18
-154.60
-158.90
-162.87
-168.45
-175.58
176.14
167.23
158.39
151.79
147.66
147.52
151.92
160.86
-176.40
-144.57
-121.33
-112.73
-114.28
-119.68
-127.09
-133.94
-141.26
-146.76
0.27
0.54
0.81
0.96
1.03
1.08
1.10
1.12
1.12
1.12
1.11
1.11
1.10
1.10
1.09
1.09
1.09
1.09
1.07
1.06
1.04
1.02
1.00
0.99
0.98
0.97
0.97
0.98
0.99
1.00
1.02
1.03
1.06
1.14
1.24
1.40
1.56
Note:
1. Gain Calculations:
NE662M04
V
DS
= 2 V, I
DS
= 20 mA
MAG =
|S
21
|
|S
12
|
K - 1
).
(
K
±
= S
11
S
22
- S
21
S
12
,
When K
≤
1, MAG is undefined and MSG values are used. MSG =
|S
21
|
|S
12
|
, K =
1 + |
| - |S
11
| - |S
22
|
2 |S
12
S
21
|
2
MAG = Maximum Available Gain
MSG = Maximum Stable Gain
NE662M04
j50
j25
j10
10
0
-j10
-j25
-j50
-j100
j100
0
S
22
18 GHz
S
22
0.1 GHz
50
S
11
0.1 GHz
S
11
18 GHz
25
120
90
60
30
150
180
-150
-120
-90
-60
-30
0
S
21
0.1 GHz
S
21
18 GHz
S
12
0.1 GHz
S
12
18 GHz
TYPICAL SCATTERING PARAMETERS
(T
A
= 25
°
C)
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PDF描述
NE662M16-T3 NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR
NE664M04 MEDIUM POWER NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR
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NE677M04 NECs MEDIUM POWER NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR
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參數(shù)描述
NE662M16-A 功能描述:射頻雙極小信號(hào)晶體管 NPN High Frequency RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
NE662M16-T3 制造商:California Eastern Laboratories (CEL) 功能描述:Trans GP BJT NPN 3.3V 0.035A 6-Pin Case M-16 T/R
NE662M16-T3-A 功能描述:射頻雙極小信號(hào)晶體管 NPN High Frequency RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
NE662MO4-T2 制造商: 功能描述: 制造商:undefined 功能描述:
NE663M04 功能描述:射頻雙極小信號(hào)晶體管 USE 551-NE663M04-A RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
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