參數(shù)資料
型號(hào)： NE662M16
廠商： NEC Corp.
英文描述： NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR
中文描述： NPN硅高頻晶體管
文件頁數(shù)： 4/10頁
文件大小： 93K
代理商： NE662M16
TYPICAL PERFORMANCE CURVES
(T
A
= 25
°
C)
NE662M04
Base to Emitter Voltage, V
BE
(V)
C
COLLECTOR CURRENT vs.
BASE TO EMITTER VOLTAGE
Ambient Temperature, T
A
(
°
C)
T
T
TOTAL POWER DISSIPATION vs.
AMBIENT TEMPERATURE
200
150
100
50
250
0
1
25
75
100
125
150
50
Free Air
Mounted on a Ceramic Substrate
Infinite Heatsink
40
30
20
10
50
0
200
600
800
1000
1200
400
V
CE
= 2 V
Collector Current, I
C
(mA)
Collector Current, l
C
(mA)
D
G
T
GAIN BANDWIDTH vs.
COLLECTOR CURRENT
DC CURRENT GAIN vs.
COLLECTOR CURRENT
20
15
10
5
25
0
1
5
20
25
30
35
10
V
CE
= 2 V
V
CE
= 1 V
.1
1
2
3
5
7
10
20 30
50
40
30
20
60
70
80
90
100
110
120
V
CE
= 2 V
Collector to Emitter Voltage, V
CE
(V)
C
COLLECTOR CURRENT vs.
COLLECTOR TO EMITTER VOLTAGE
30
20
0
10
0
1.0
2.0
3.0
3.5
355
μ
A
305
μ
A
255
μ
A
205
μ
A
155
μ
A
105
μ
A
55
μ
A
IB = 5
μ
A
Collector to Emitter Voltage, V
CE
(V)
F
R
FEEDBACK CAPACITANCE vs.
COLLECTOR TO EMITTER VOLTAGE
0.40
0.30
0.20
0.10
0.50
0
1.0
3.0
4.0
5.0
2.0
Freq. = 1 MHz
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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