參數(shù)資料
型號(hào)： NE662M16-T3
廠商： NEC Corp.
英文描述： NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR
中文描述： NPN硅高頻晶體管
文件頁數(shù)： 7/10頁
文件大?。?/td> 93K
代理商： NE662M16-T3
NE662M04
S
22
0.1 GHz
j50
j25
j10
10
0
-j10
-j25
-j50
-j100
j100
0
S
11
18 GHz
50
S
11
0.1 GHz
S
22
18 GHz
25
120
90
60
30
150
180
-150
-120
-90
-60
-30
0
S
21
0.1 GHz
S
12
0.1 GHz
S
21
18 GHz
S
12
18 GHz
FREQUENCY
GHz
0.10
0.20
0.30
0.40
0.50
0.70
1.00
1.50
2.00
2.50
3.00
3.50
4.00
5.00
6.00
7.00
8.00
9.00
10.00
11.00
12.00
13.00
14.00
15.00
16.00
17.00
18.00
S
11
S
21
S
12
S
22
K
MAG
1
(dB)
31.03
28.23
26.63
25.48
24.61
23.25
21.77
20.02
18.68
17.56
15.25
13.46
12.25
10.54
9.27
8.24
7.35
6.76
6.64
7.44
6.81
6.26
5.15
3.91
2.94
1.32
-0.29
MAG
0.800
0.823
0.784
0.756
0.723
0.673
0.606
0.525
0.481
0.452
0.443
0.447
0.462
0.503
0.533
0.561
0.597
0.648
0.701
0.742
0.770
0.800
0.832
0.864
0.886
0.893
0.893
ANG
-6.49
-20.59
-33.50
-44.64
-54.00
-71.29
-94.50
-125.16
-149.81
-171.81
168.25
149.84
133.60
106.93
85.28
64.59
44.11
25.70
10.10
-3.57
-17.38
-32.18
-47.17
-60.22
-71.89
-83.62
-95.92
MAG
12.912
12.309
11.948
11.513
11.004
9.884
8.378
6.529
5.267
4.390
3.750
3.263
2.881
2.323
1.941
1.663
1.458
1.289
1.150
1.033
0.937
0.852
0.761
0.669
0.586
0.505
0.432
ANG
170.08
162.54
153.92
146.61
139.33
126.94
111.49
91.42
75.35
61.34
48.61
36.68
25.36
3.99
-15.75
-34.58
-53.07
-71.41
-89.34
-107.27
-125.45
-144.57
-164.70
174.87
154.00
131.56
109.00
MAG
0.010
0.019
0.026
0.033
0.038
0.047
0.056
0.065
0.071
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0.083
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0.095
0.108
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0.199
0.191
0.179
0.161
0.142
ANG
80.54
73.16
66.89
61.60
56.80
49.31
40.70
32.29
27.18
23.73
20.64
17.74
14.65
7.35
-0.60
-10.18
-20.97
-32.58
-44.85
-57.61
-71.16
-86.33
-101.97
-117.93
-134.03
-150.31
-165.37
MAG
0.975
0.908
0.878
0.844
0.798
0.717
0.626
0.529
0.473
0.437
0.414
0.399
0.390
0.391
0.407
0.414
0.396
0.365
0.338
0.322
0.291
0.220
0.130
0.095
0.128
0.183
0.273
ANG
-12.55
-19.04
-24.33
-29.71
-35.10
-43.61
-53.73
-65.53
-74.56
-82.64
-90.48
-98.44
-106.85
-124.19
-138.63
-150.24
-161.21
-175.83
165.91
147.34
132.02
115.42
84.64
15.41
-38.31
-80.23
-113.09
TYPICAL SCATTERING PARAMETERS
(T
A
= 25
°
C)
Note:
1. Gain Calculations:
|S
21
|
|S
12
|
MAG = Maximum Available Gain
MSG = Maximum Stable Gain
NE662M04
V
DS
= 2 V, I
DS
= 5 mA
MAG =
K - 1
).
(
K
±
= S
11
S
22
- S
21
S
12
,
When K
≤
1, MAG is undefined and MSG values are used. MSG =
|S
21
|
|S
12
|
, K =
1 + |
| - |S
11
| - |S
22
|
2 |S
12
S
21
|
2
0.14
0.17
0.19
0.21
0.26
0.34
0.45
0.63
0.79
0.94
1.05
1.13
1.18
1.21
1.21
1.19
1.17
1.13
1.06
0.99
0.96
0.96
1.01
1.06
1.13
1.37
1.78
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NE68035 NONLINEAR MODEL
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NE662M16-T3-A 功能描述:射頻雙極小信號(hào)晶體管 NPN High Frequency RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
NE662MO4-T2 制造商: 功能描述: 制造商:undefined 功能描述:
NE663M04 功能描述:射頻雙極小信號(hào)晶體管 USE 551-NE663M04-A RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
NE663M04-A 功能描述:射頻雙極小信號(hào)晶體管 NPN High Frequency RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
NE663M04-EVPW08 功能描述:射頻開發(fā)工具 For NE663M04-A Power at 800 MHz RoHS:否 制造商:Taiyo Yuden 產(chǎn)品:Wireless Modules 類型:Wireless Audio 工具用于評(píng)估:WYSAAVDX7 頻率: 工作電源電壓:3.4 V to 5.5 V
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