參數(shù)資料
型號： NE662M16-T3
廠商： NEC Corp.
英文描述： NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR
中文描述： NPN硅高頻晶體管
文件頁數(shù)： 2/10頁
文件大小： 93K
代理商： NE662M16-T3
Note:
1. Operation in excess of any one of these parameters may result
in permanent damage.
SYMBOLS
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
P
T
PARAMETERS
Collector to Base Voltage
Collector to Emitter Voltage
Emitter to Base Voltage
Collector Current
Total Power Dissipation
UNITS
V
V
V
mA
mW
RATINGS
15
3.3
1.5
35
115
T
J
Junction Temperature
°
C
150
T
STG
Storage Temperature
°
C
-65 to +150
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
1
(T
A
= 25
°
C)
NE662M04
V
CE
= 2 V, l
C
= 5 mA, f= 1 GHz
1.0
0.5
0.2
0
-0.2
-0.5
-1.0
-2.0
-5.0
5.0
2.0
0
3.0 dB
2.0 dB
1.5 dB
NF
MIN
= 1.0 dB
Γ
OPT
V
CE
= 2 V, l
C
= 5 mA, f = 2 GHz
1.0
0.5
0.2
0
-0.2
-0.5
-1.0
-2.0
-5.0
5.0
2.0
0
3.0 dB
2.0 dB
1.5 dB
NF
MIN
= 1.1 dB
Γ
OPT
TYPICAL OPTIMAL NOISE MATCHING
(T
A
= 25
C)
FREQ.
(GHz)
NF
MIN
(dB)
G
A
(dB)
Γ
OPT
MAG
ANG
Rn/50
TYPICAL NOISE PARAMETERS
(T
A
= 25
C)
0.8
0.9
1.0
1.5
1.8
1.9
2.0
2.5
0.78
0.80
0.82
0.93
1.00
1.02
1.04
1.15
21.4
20.7
20.0
17.0
15.6
15.2
14.8
13.5
0.26
0.26
0.26
0.23
0.20
0.19
0.19
0.20
31.7
32.7
34.7
57.0
78.0
86.0
94.2
138.3
0.17
0.17
0.17
0.16
0.14
0.14
0.13
0.10
V
C =
2
V
,
I
C =
5 mA
V
C =
2
V
,
I
C =
3 mA
V
C =
2
V
,
I
C =
10 mA
0.8
0.9
1.0
1.5
1.8
1.9
2.0
2.5
0.93
0.94
0.96
1.03
1.07
1.09
1.10
1.17
22.5
21.8
21.1
18.1
18.7
16.3
15.9
14.3
0.12
0.12
0.12
0.09
0.08
0.08
0.08
0.14
28.1
28.8
31.7
71.1
106.2
118.5
130.5
-179.7
0.15
0.15
0.15
0.14
0.13
0.13
0.12
0.11
0.8
0.9
1.0
1.5
1.8
1.9
2.0
2.5
1.28
1.29
1.30
1.37
1.41
1.43
1.44
1.51
23.7
23.0
22.3
19.3
17.8
17.3
16.9
15.3
0.07
0.07
0.08
0.13
0.18
0.17
0.19
0.25
-159.4
-157.5
-155.7
-149.2
-146.1
-146.0
-143.9
-136.7
0.13
0.13
0.13
0.13
0.13
0.13
0.13
0.13
V
C =
2
V
,
I
C =
20 mA
0.8
0.9
1.0
1.5
1.8
1.9
2.0
2.5
1.59
1.61
1.63
1.72
1.78
1.79
1.81
1.90
24.5
23.7
23.0
19.9
18.3
17.9
17.5
15.8
0.28
0.28
0.27
0.30
0.33
0.34
0.35
0.40
-158.1
-155.5
-153.1
-142.6
-137.3
-135.7
-134.1
-126.5
0.12
0.13
0.13
0.14
0.15
0.08
0.16
0.18
THERMAL RESISTANCE
ITEM
SYMBOL
VALUE
UNIT
Junction to Case Resistance
Junction to Ambient Resistance
R
th j-c
R
th j-a
150
650
°
C/W
°
C/W
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PDF描述
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