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參數資料
| 型號： | NE661M04 |
| 廠商： | NEC Corp. |
| 英文描述： | NPN SILICON RF TRANSISTOR FOR LOW CURRENT, LOW NOISE, HIGH-GAIN AMPLIFICATION FLAT-LEAD 4-PIN THIN SUPER MINI-MOLD |
| 中文描述： | NPN硅射頻晶體管，低噪聲，高增益放大平引腳4引腳薄型超小型，低電流模 |
| 文件頁數： | 5/12頁 |
| 文件大?。?/td> | 70K |
| 代理商： | NE661M04 |
Data Sheet P14909EJ1V0DS00
5
NE661M04
Noise Characteristics
Noise Figure, Associated Gain vs. Collector Current
Noise Figure, Associated Gain vs. Collector Current
Noise Figure, Associated Gain vs. Collector Current
Noise Figure, Associated Gain vs. Collector Current
Collector Current I
C
(mA)
Collector Current I
C
(mA)
6
5
4
3
2
1
0
Collector Current I
C
(mA)
Collector Current I
C
(mA)
N
A
a
A
a
N
1
10
100
6
5
4
3
2
1
0
30
25
20
15
10
5
0
1
10
100
1
10
100
1
10
100
G
a
f = 2.5 GHz
V
CE
= 2 V
NF
G
a
f = 1.5 GHz
V
CE
= 2 V
NF
30
25
20
15
10
5
0
6
5
4
3
2
1
0
N
A
a
A
a
N
6
5
4
3
2
1
0
30
25
20
15
10
5
0
30
25
20
15
10
5
0
G
a
f = 2.0 GHz
V
CE
= 2 V
NF
G
a
f = 1.0 GHz
V
CE
= 2 V
NF
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NE661M04-T2 | NPN SILICON RF TRANSISTOR FOR LOW CURRENT, LOW NOISE, HIGH-GAIN AMPLIFICATION FLAT-LEAD 4-PIN THIN SUPER MINI-MOLD |
| NE662M04 | NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR |
| NE662M04-T2 | NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR |
| NE662M16 | NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR |
| NE662M16-T3 | NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
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| NE66219 | 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 NPN High Frequency RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel |
| NE66219-A | 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 NPN High Frequency RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel |
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