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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | NE661M04 |
| 廠商： | NEC Corp. |
| 英文描述： | NPN SILICON RF TRANSISTOR FOR LOW CURRENT, LOW NOISE, HIGH-GAIN AMPLIFICATION FLAT-LEAD 4-PIN THIN SUPER MINI-MOLD |
| 中文描述： | NPN硅射頻晶體管，低噪聲，高增益放大平引腳4引腳薄型超小型，低電流模 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 3/12頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 70K |
| 代理商： | NE661M04 |
Data Sheet P14909EJ1V0DS00
3
NE661M04
TYPICAL CHARACTERISTICS (T
A
= +25°C)
Thermal/DC Characteristics
Collector Current vs. Collector to Emitter Voltage
DC Current Gain vs. Collector Current
0.001
200
100
10
25
20
15
10
5
0
1
2
3
4
5
1
0.01
0.1
1
10
100
Collector to Emitter Voltage V
CE
(V)
Collector Current I
C
(mA)
C
C
D
F
Total Power Dissipation vs.
Ambient Temperature, Case Temperature
Collector Current vs. DC Base Voltage
50
40
30
20
10
250
200
150
100
50
0
Ambient Temperature T
A
(
°
C), Case Temperature T
C
(
°
C)
DC Base Voltage V
BE
(V)
T
T
C
C
P
T
-T
A
: Free air
P
T
-T
A
:
Mounted on ceramic board
(15 mm
×
15 mm, t = 0.6 mm)
P
T
-T
C
:
When case temperature
is specified
0
25
50
75
100
125
150
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
380 A
= 20 A
I
B
μ
μ
μ
μ
μ
μ
μ
μ
μ
μ
V
CE
= 2 V
V
CE
= 2 V
Capacitance/f
T
Characteristics
1
0.30
0.25
0.20
0.15
0.10
0.05
0
1.0
2.0
3.0
4.0
5.0
30
25
20
15
10
5
0
10
100
Gain Bandwidth Product vs. Collector Current
Reverse Transfer Capacitance vs. Collector to Base Voltage
R
r
Collector to Base Voltage V
CB
(V)
G
T
Collector Current I
C
(mA)
f = 1 MHz
V
= 3 V
f = 2 GHz
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NE661M04-T2 | NPN SILICON RF TRANSISTOR FOR LOW CURRENT, LOW NOISE, HIGH-GAIN AMPLIFICATION FLAT-LEAD 4-PIN THIN SUPER MINI-MOLD |
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| NE662M04-T2 | NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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| NE66219-A | 功能描述:射頻雙極小信號(hào)晶體管 NPN High Frequency RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel |
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