參數(shù)資料
型號(hào)： NE461M02
廠商： NEC Corp.
英文描述： NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR HIGH FREQUENCY LOW DISTORTION AMPLIFIER
中文描述： npn型外延硅晶體管高頻低失真功率放大器
文件頁數(shù)： 4/5頁
文件大?。?/td> 45K
代理商： NE461M02
NE461M02
j50
j25
j10
0
-j10
-j25
-j50
-j100
j100
0
S
11
0.1 GHz
S
11
3 GHz
S
22
0.1 GHz
S
22
3 GHz
120
90
60
30
150
180
-150
-120
-90
-60
-30
0
S
21
0.1 GHz
S
12
0.1 GHz
S
21
3 GHz
S
12
3 GHz
FREQUENCY
GHz
0.100
0.200
0.400
0.600
0.800
1.000
1.200
1.400
1.600
1.800
2.000
2.200
2.400
2.600
2.800
3.000
S
11
S
21
S
12
S
22
K
MAG
1
(dB)
28.6
24.5
19.6
15.3
12.7
10.8
9.3
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5.9
5.4
5.0
4.6
4.5
4.3
MAG
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ANG
-142.0
-165.0
178.5
168.9
161.2
154.4
148.0
142.0
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130.6
125.0
119.6
114.0
108.4
102.7
97.0
MAG
22.351
11.847
6.043
4.072
3.089
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1.858
1.661
1.514
1.397
1.307
1.232
1.169
1.118
1.074
ANG
109.2
95.2
83.2
75.1
68.2
61.8
55.8
50.2
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39.8
35.1
30.3
25.9
21.6
17.5
13.4
MAG
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0.042
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0.349
0.373
0.396
ANG
47.3
52.4
60.8
63.4
63.4
62.2
60.4
58.2
55.9
53.3
50.6
47.8
44.9
41.9
38.8
35.6
MAG
0.456
0.345
0.309
0.307
0.310
0.315
0.321
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0.341
0.347
0.353
0.359
0.363
0.369
0.373
ANG
-100.7
-129.0
-147.0
-152.1
-153.5
-153.6
-153.3
-152.8
-152.2
-151.7
-151.5
-151.4
-151.4
-151.8
-152.4
-153.3
TYPICAL SCATTERING PARAMETERS
(T
A
= 25
°
C)
NE461M02
V
CE
= 5 V, I
C
= 50 mA
0.50
0.77
0.97
1.04
1.06
1.07
1.07
1.06
1.06
1.05
1.04
1.03
1.02
1.01
1.00
1.00
Note:
1. Gain Calculations:
MAG =
|S
21
|
|S
12
|
K - 1
).
(
K
±
= S
11
S
22
- S
21
S
12
,
When K
≤
1, MAG is undefined and MSG values are used. MSG =
|S
21
|
|S
12
|
, K =
1 + |
| - |S
11
| - |S
22
|
2 |S
12
S
21
|
2
MAG = Maximum Available Gain
MSG = Maximum Stable Gain
FREQUENCY
GHz
0.100
0.200
0.400
0.600
0.800
1.000
1.200
1.400
1.600
1.800
2.000
2.200
2.400
2.600
2.800
3.000
S
11
S
21
S
12
S
22
K
MAG
1
(dB)
28.7
24.7
19.8
15.6
12.9
11.0
9.6
8.4
7.5
6.7
6.1
5.6
5.2
4.8
4.8
4.5
MAG
0.599
0.602
0.601
0.599
0.596
0.591
0.586
0.581
0.573
0.566
0.557
0.549
0.540
0.531
0.523
0.515
ANG
-137.2
-162.2
179.8
169.8
161.9
155.0
148.5
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136.6
131.0
125.5
120.1
114.5
108.9
103.2
97.5
MAG
23.210
12.353
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4.248
3.220
2.609
2.208
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1.722
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ANG
109.9
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ANG
-97.0
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-150.6
-150.7
-150.3
-149.7
-149.1
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-148.3
-148.2
-148.2
-148.6
-149.2
-150.1
V
CE
= 10 V, I
C
= 50 mA
0.48
0.75
0.97
1.03
1.06
1.07
1.07
1.06
1.06
1.05
1.04
1.03
1.02
1.01
1.00
0.99
Coordinates in Ohms
Frequency in GHz
V
CE
= 10 V, I
C
= 50 mA
相關(guān)PDF資料
PDF描述
NE461M02-T1 NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR HIGH FREQUENCY LOW DISTORTION AMPLIFIER
NE5045 Seven-Channel RC Decoder
NE521 High-Speed Dual-Differential Comparator/Sense Amp(高速雙差分比較器/感應(yīng)放大器)
NE5230 Low Voltage Operational Amplifier(低壓運(yùn)算放大器)
NE536 FET INPUT OPERATIONAL AMPLIFIER
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
NE461M02-AZ 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 NPN Low Distort Amp RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
NE461M02-T1 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 NPN Low Distort Amp RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
NE461M02-T1-AZ 功能描述:射頻雙極電源晶體管 NPN Low Distort Amp RoHS:否 制造商:M/A-COM Technology Solutions 配置:Single 直流集電極/Base Gain hfe Min:40 最大工作頻率:30 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:25 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:4 V 集電極連續(xù)電流:20 A 最大直流電集電極電流: 功率耗散:250 W 封裝 / 箱體:Case 211-11 封裝:Tray
NE46234-AZ 功能描述:TRANS RF NPN 6GHZ 12V SOT89 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> RF 晶體管 (BJT) 系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 17/Dec/2010 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:4.7V 頻率 - 轉(zhuǎn)換:47GHz 噪聲系數(shù)（dB典型值@頻率）:0.5dB ~ 1.45dB @ 150MHz ~ 10GHz 增益:9dB ~ 31dB 功率 - 最大:160mW 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):160 @ 25mA，3V 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:45mA 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:4-SMD，扁平引線 供應(yīng)商設(shè)備封裝:4-TSFP 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:BFP 740FESD E6327DKR
NE46234-SE-AZ 功能描述:TRANS RF NPN 6GHZ 12V SOT89 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> RF 晶體管 (BJT) 系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 17/Dec/2010 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:4.7V 頻率 - 轉(zhuǎn)換:47GHz 噪聲系數(shù)（dB典型值@頻率）:0.5dB ~ 1.45dB @ 150MHz ~ 10GHz 增益:9dB ~ 31dB 功率 - 最大:160mW 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):160 @ 25mA，3V 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:45mA 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:4-SMD，扁平引線 供應(yīng)商設(shè)備封裝:4-TSFP 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:BFP 740FESD E6327DKR
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