參數(shù)資料
型號(hào)： NE461M02
廠商： NEC Corp.
英文描述： NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR HIGH FREQUENCY LOW DISTORTION AMPLIFIER
中文描述： npn型外延硅晶體管高頻低失真功率放大器
文件頁(yè)數(shù)： 2/5頁(yè)
文件大?。?/td> 45K
代理商： NE461M02
NE461M02
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
1
(T
A
= 25
°
C)
SYMBOLS
PARAMETERS
V
CBO
Collector to Base Voltage
V
CEO
Collector to Emitter Voltage
V
EBO
Emitter to Base Voltage
I
C
Collector Current
P
T
Total Power Dissipation
2
T
J
Junction Temperature
T
STG
Storage Temperature
Notes:
1. Operation in excess of any one of these parameters may result
in permanent damage.
2. Device mounted on 0.7 mm x 16 cm
2
double-sided ceramic
substrate (copper plating).
UNITS
V
V
V
mA
W
°
C
°
C
RATINGS
30
15
3.0
250
2.0
150
-65 to +150
TYPICAL PERFORMANCE CURVES
(T
A
= 25
°
C)
Collector to Emitter Voltage, V
CE
(V)
Collector Current, Ic (mA)
D
F
Collector Current, Ic (mA)
Collector to Base Voltage, V
CB
(V)
G
T
C
C
COLLECTOR CURRENT VS.
COLLECTOR TO EMITTER VOLTAGE
DC CURRENT GAIN VS.
COLLECTOR CURRENT
FEEDBACK CAPACITANCE vs.
COLLECTOR TO BASE VOLTAGE
GAIN BANDWIDTH PRODUCT vs.
COLLECTOR CURRENT
F
E
I
B
=0.6 mA
0.5 mA
0.4 mA
0.3 mA
0.2 mA
0.1 mA
100
80
60
40
20
0
10
20
300
100
50
10
0.1
1
10
100
1000
V
CE
10 V
V
CE
= 10 V
f = 1 GHz
10
5
3
2
1
0.5
0.3
10
30
50
70
100
5.0
3.0
2.0
1.0
0.5
0.3
1
3
5
10
20
30
f = 1.0 MHz
PART NUMBER
QUANTITY
PACKAGING
NE461M02-T1
1000
Tape & Reel
ORDERING INFORMATION
相關(guān)PDF資料
PDF描述
NE461M02-T1 NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR HIGH FREQUENCY LOW DISTORTION AMPLIFIER
NE5045 Seven-Channel RC Decoder
NE521 High-Speed Dual-Differential Comparator/Sense Amp(高速雙差分比較器/感應(yīng)放大器)
NE5230 Low Voltage Operational Amplifier(低壓運(yùn)算放大器)
NE536 FET INPUT OPERATIONAL AMPLIFIER
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
NE461M02-AZ 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 NPN Low Distort Amp RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
NE461M02-T1 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 NPN Low Distort Amp RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
NE461M02-T1-AZ 功能描述:射頻雙極電源晶體管 NPN Low Distort Amp RoHS:否 制造商:M/A-COM Technology Solutions 配置:Single 直流集電極/Base Gain hfe Min:40 最大工作頻率:30 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:25 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:4 V 集電極連續(xù)電流:20 A 最大直流電集電極電流: 功率耗散:250 W 封裝 / 箱體:Case 211-11 封裝:Tray
NE46234-AZ 功能描述:TRANS RF NPN 6GHZ 12V SOT89 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> RF 晶體管 (BJT) 系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 17/Dec/2010 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:4.7V 頻率 - 轉(zhuǎn)換:47GHz 噪聲系數(shù)（dB典型值@頻率）:0.5dB ~ 1.45dB @ 150MHz ~ 10GHz 增益:9dB ~ 31dB 功率 - 最大:160mW 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):160 @ 25mA，3V 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:45mA 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:4-SMD，扁平引線 供應(yīng)商設(shè)備封裝:4-TSFP 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:BFP 740FESD E6327DKR
NE46234-SE-AZ 功能描述:TRANS RF NPN 6GHZ 12V SOT89 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> RF 晶體管 (BJT) 系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 17/Dec/2010 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:4.7V 頻率 - 轉(zhuǎn)換:47GHz 噪聲系數(shù)（dB典型值@頻率）:0.5dB ~ 1.45dB @ 150MHz ~ 10GHz 增益:9dB ~ 31dB 功率 - 最大:160mW 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):160 @ 25mA，3V 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:45mA 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:4-SMD，扁平引線 供應(yīng)商設(shè)備封裝:4-TSFP 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:BFP 740FESD E6327DKR
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