參數(shù)資料
型號(hào)： NE461M02
廠商： NEC Corp.
英文描述： NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR HIGH FREQUENCY LOW DISTORTION AMPLIFIER
中文描述： npn型外延硅晶體管高頻低失真功率放大器
文件頁數(shù)： 3/5頁
文件大小： 45K
代理商： NE461M02
NE461M02
TYPICAL PERFORMANCE CURVES
(T
A
= 25
°
C)
Collector Current, Ic (mA)
Frequency, f (GHz)
I
S
2
|
2
(
M
Collector Current, Ic (mA)
Collector Current, I
C
(mA)
N
I
S
2
|
2
INSERTION POWER GAIN vs.
COLLECTOR CURRENT
INSERTION POWER GAIN and MAXIMUM
AVAILABLE GAIN vs. FREQUENCY
3RD ORDER INTERMODULATION DISTORTION
2ND ORDER INTERMODULATION DISTORTION (+) &
2ND ORDER INTERMODULATION DISTORTION (-) vs.
COLLECTOR CURRENT
2
2
NOISE FIGURE vs.
COLLECTOR CURRENT
3
3
2
2
10
5
0
10
30
50
70
100
V
CE
= 10 V
f = 1 GHz
20
10
0
0.2
0.4
0.6 0.8 1.0
1.4
2.0
V
CE
= 10 V
I
C
= 50 MA
|S
21E
|
2
MAG
7
6
5
4
3
2
1
0
5
10
20
50
100
V
CE
= 10 V
f = 1 GHz
80
70
60
50
40
30
10
50
100
300
IM
3
IM
2+
IM
2-
IM
3
: Vo = 110 dB
μ
V/75
2 tone each
f = 2 x 190 MHz - 200 Mhz
IM
2+
: Vo = 105 dB
μ
V/75
2 tone each
f = 90 MHz + 100 MHz
IM
2-
: Vo 105 dB
μ
V/75
2 tone each
f = 190 MHz - 90 MHz
V
CE
=10 V
相關(guān)PDF資料
PDF描述
NE461M02-T1 NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR HIGH FREQUENCY LOW DISTORTION AMPLIFIER
NE5045 Seven-Channel RC Decoder
NE521 High-Speed Dual-Differential Comparator/Sense Amp(高速雙差分比較器/感應(yīng)放大器)
NE5230 Low Voltage Operational Amplifier(低壓運(yùn)算放大器)
NE536 FET INPUT OPERATIONAL AMPLIFIER
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
NE461M02-AZ 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 NPN Low Distort Amp RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
NE461M02-T1 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 NPN Low Distort Amp RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
NE461M02-T1-AZ 功能描述:射頻雙極電源晶體管 NPN Low Distort Amp RoHS:否 制造商:M/A-COM Technology Solutions 配置:Single 直流集電極/Base Gain hfe Min:40 最大工作頻率:30 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:25 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:4 V 集電極連續(xù)電流:20 A 最大直流電集電極電流: 功率耗散:250 W 封裝 / 箱體:Case 211-11 封裝:Tray
NE46234-AZ 功能描述:TRANS RF NPN 6GHZ 12V SOT89 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> RF 晶體管 (BJT) 系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 17/Dec/2010 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:4.7V 頻率 - 轉(zhuǎn)換:47GHz 噪聲系數(shù)（dB典型值@頻率）:0.5dB ~ 1.45dB @ 150MHz ~ 10GHz 增益:9dB ~ 31dB 功率 - 最大:160mW 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):160 @ 25mA，3V 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:45mA 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:4-SMD，扁平引線 供應(yīng)商設(shè)備封裝:4-TSFP 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:BFP 740FESD E6327DKR
NE46234-SE-AZ 功能描述:TRANS RF NPN 6GHZ 12V SOT89 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> RF 晶體管 (BJT) 系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 17/Dec/2010 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:4.7V 頻率 - 轉(zhuǎn)換:47GHz 噪聲系數(shù)（dB典型值@頻率）:0.5dB ~ 1.45dB @ 150MHz ~ 10GHz 增益:9dB ~ 31dB 功率 - 最大:160mW 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):160 @ 25mA，3V 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:45mA 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:4-SMD，扁平引線 供應(yīng)商設(shè)備封裝:4-TSFP 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:BFP 740FESD E6327DKR
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號(hào)，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠商 批號(hào) 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*