參數資料
型號： NE4210S01-T1B
廠商： NEC Corp.
英文描述： X to Ku BAND SUPER LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL HJ-FET
中文描述： X到Ku波段超低噪聲放大器N溝道黃建忠場效應管
文件頁數： 4/16頁
文件大?。?/td> 65K
代理商： NE4210S01-T1B
Data Sheet P14232EJ2V0DS00
4
NE4210S01
Gain Calculations
S
21
MAG. =
S
12
k
±
k
2
– 1
= S
11
·S
22
– S
21
·S
12
S
21
MSG. =
S
12
1 + |
|
2
– |S
11
|
2
– |S
22
|
2
K =
2 |S
12
| |S
21
|
Frequency f (GHz)
1.0
0.5
0
1
30
2
N
V
DS
= 2 V
I
D
= 10 mA
4
20
6
8 10
14
24
20
16
12
8
4
N
a
N
N
a
Drain Current I
D
(mA)
G
a
NF
G
a
NF
NOISE FIGURE, NF ASSOCIATED GAIN vs.
DRAIN CURRENT
15
14
13
12
11
2.0
1.5
1.0
0.5
30
20
10
0
V
DS
= 2 V
f = 12 GHz
NOISE FIGURE, NF ASSOCIATED GAIN vs.
FREQUENCY
相關PDF資料
PDF描述
NE42484C Super Low Noise Amplifier N-Channel HJ-FET(超低噪聲放大器N溝道結型場效應管)
NE425S01 C to Ku BAND SUPER LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL HJ-FET
NE425S01-T1 C to Ku BAND SUPER LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL HJ-FET
NE425S01-T1B C to Ku BAND SUPER LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL HJ-FET
NE429M01 C to Ku BAND SUPER LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL HJ-FET
相關代理商/技術參數
參數描述
NE4210S01-T1B-A 功能描述:MOSFET Super Lo Noise HJFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
NE4211M01 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Discrete
NE42484A 功能描述:MOSFET REORD 551-NE334S01 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
NE425S01 功能描述:射頻GaAs晶體管 Super Lo Noise HJFET RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技術類型:pHEMT 頻率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪聲系數: 正向跨導 gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源電壓 VDS: 閘/源擊穿電壓:- 8 V 漏極連續(xù)電流:3 A 最大工作溫度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安裝風格: 封裝 / 箱體:
NE425S01_98 制造商:NEC 制造商全稱:NEC 功能描述:C to KU BAND SUPER LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL HJ-FET
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

*型號 *數量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*