參數(shù)資料
型號： NE4210S01-T1B
廠商： NEC Corp.
英文描述： X to Ku BAND SUPER LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL HJ-FET
中文描述： X到Ku波段超低噪聲放大器N溝道黃建忠場效應(yīng)管
文件頁數(shù)： 3/16頁
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代理商： NE4210S01-T1B
Data Sheet P14232EJ2V0DS00
3
NE4210S01
TYPICAL CHARACTERISTICS (T
A
= +25 °C)
250
200
150
100
50
0
50
100
150
200
250
TOTAL POWER DISSIPATION vs.
AMBIENT TEMPERATURE
Ambient Temperature T
A
(
°
C)
T
t
DRAIN CURRENT vs.
DRAIN TO SOURCE VOLTAGE
Drain to Source Voltage V
DS
(V)
100
80
60
40
20
0
2.0
1.0
D
D
V
GS
= 0 V
–0.2 V
–0.4 V
–0.6 V
60
40
20
0
–2.0
–1.0
0
DRAIN CURRENT vs.
GATE TO SOURCE VOLTAGE
Gate to Source Voltage V
GS
(V)
D
D
Frequency f (GHz)
M
M
F
2
|
2
V
DS
= 2 V
MAXIMUM AVAILABLE GAIN, FORWARD
INSERTION GAIN vs. FREQUENCY
24
20
16
12
8
4
1
30
2
4
20
6
8 10
14
V
DS
= 2 V
I
D
= 10 mA
MSG.
MAG.
|S
21S
|
2
相關(guān)PDF資料
PDF描述
NE42484C Super Low Noise Amplifier N-Channel HJ-FET(超低噪聲放大器N溝道結(jié)型場效應(yīng)管)
NE425S01 C to Ku BAND SUPER LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL HJ-FET
NE425S01-T1 C to Ku BAND SUPER LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL HJ-FET
NE425S01-T1B C to Ku BAND SUPER LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL HJ-FET
NE429M01 C to Ku BAND SUPER LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL HJ-FET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
NE4210S01-T1B-A 功能描述:MOSFET Super Lo Noise HJFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
NE4211M01 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Discrete
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NE425S01_98 制造商:NEC 制造商全稱:NEC 功能描述:C to KU BAND SUPER LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL HJ-FET
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