參數資料
型號： NE334S01-T1
廠商： NEC Corp.
英文描述： C BAND SUPER LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL HJ-FET
中文描述： C波段超低噪聲放大器N溝道黃建忠場效應管
文件頁數： 3/12頁
文件大小： 74K
代理商： NE334S01-T1
3
NE334S01
TYPICAL CHARACTERISTICS (T
A
= 25
°
C)
500
400
300
200
100
0
50
100
150
200
250
T
A
- Ambient Temperature - C
P
t
TOTAL POWER DISSIPATION vs.
AMBIENT TEMPERATURE
100
80
60
40
20
–1.0
0
V
GS
- Gate to Source Voltage - V
I
D
DRAIN CURRENT vs.
GATE TO SOURCE VOLTAGE
–2.0
0
V
DS
= 2 V
0
1
2
3
4
5
V
DS
- Drain to Source Voltage - V
100
80
60
40
20
I
D
DRAIN CURRENT vs.
DRAIN TO SOURCE VOLTAGE
V
GS
= 0 V
–0.2 V
–0.4 V
–0.6 V
1
f - Frequency - GHz
24
20
16
12
8
4
M
M
|
2
|
2
MAXIMUM AVAILABLE GAIN, FORWARD
INSERTION GAIN vs. FREQUENCY
2
4
6
8 10
14
20
30
V
DS
= 2 V
I
D
= 15 mA
|S
21S
|
2
MSG.
MAG.
Gain Calculations
S
1 +
D
2
-
S
11
2
-
S
22
2
MSG. =
S
12
K =
2
S
12
S
21
MAG. = S
±
K
S
12
2
-
1)
D
= S
11
×
S
22
-
S
21
×
S
12
21
相關PDF資料
PDF描述
NE334S01-T1B LED 3MM QUAD YEL/GRN BICLR PCMNT
NE334S01 Low Noise Amplifier N-Channeal HJ-FET(低噪聲放大器N溝道 JFET)
NE38018 L to S BAND LOW NOISE AMPLIFER N-CHANNEL HJ-FET
NE38018-T1 L to S BAND LOW NOISE AMPLIFER N-CHANNEL HJ-FET
NE38018-T2 L to S BAND LOW NOISE AMPLIFER N-CHANNEL HJ-FET
相關代理商/技術參數
參數描述
NE334S01-T1-A 功能描述:MOSFET Low Noise HJ FET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
NE334S01-T1B 制造商:NEC 制造商全稱:NEC 功能描述:C BAND SUPER LOW NOISE HJ FET
NE3390-44.736 制造商:CRYSTEKCRYSTAL 制造商全稱:Crystek Corporation 功能描述:Clock Oscillator 14 Pin Dip, 3.3V, HCMOS
NE3391-44.736 制造商:CRYSTEKCRYSTAL 制造商全稱:Crystek Corporation 功能描述:Clock Oscillator 14 Pin Dip, 3.3V, HCMOS
NE3392-44.736 制造商:CRYSTEKCRYSTAL 制造商全稱:Crystek Corporation 功能描述:Clock Oscillator 14 Pin Dip, 3.3V, HCMOS
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