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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | NE25139 |
| 廠商： | NEC Corp. |
| 英文描述： | GENERAL PURPOSE DUAL-GATE GaAS MESFET |
| 中文描述： | 一般用途的雙柵GaAs MESFET |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 4/7頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 54K |
| 代理商： | NE25139 |
Parameters
FET1
FET2
Parameters
FET1
FET2
UGW
NGF
IS
N
RG
RD
RS
RIS
RID
TAU
CDSO
C11O
C11TH
VINFL
DELTGS
DELTDS
LAMBDA
C11DELT
C12O
C12SAT
CGDSAT
KBK
VBR
NBR
100e-6
4
8.78e-10
1.33
0
0
0
0
0
5.17e-12
1.19e-13
6.1e-13
1.6e-13
-1.1
1.82
0.682
\0.036
0
0
6.81e-14
6.81e-14
0.03
6.5
2
100e-6
4
8.78e-10
1.33
0
0
0
0
0
5.17e-12
1.19e-13
6.1e-13
1.6e-13
-1.1
1.82
0.682
0.036
0
0
6.81e-14
6.81e-14
0.03
6.5
2
IDSOC
RDB
CBS
GDBM
KDB
VDSM
GMMAXAC
GAMMAAC
KAPAAC
PEFFAC
VTOAC
VTSOAC
VDELTAC
GMMAX
GAMMA
KAPA
PEFF
VTO
VTSO
VDELT
VCH
VSAT
VGO
VDSO
0.07
1.0e9
0.16e-12
0.005
11.1
7.1e-11
0.0475
0.0107
0.0001
44.9
-1.584
-100
0.062
0.0554
0.006
0.046
1.636
-1.57
-100
0.135
1
1.119
-0.654
3
0.07
1.0e9
0.16e-12
0.005
11.1
7.1e-11
0.0875
0.0051
0.0052
44.9
-1.545
-100
0.062
0.0304
0.005
0.0005
1.636
-1.5
-10
0.1
1
1.119
-0.0035
10
NONLINEAR MODEL
FET NONLINEAR MODEL PARAMETERS
(1)
(1) Libra EEFET3 Model
time
capacitance
inductance
resistance
voltage
current
seconds
farads
henries
ohms
volts
amps
Parameter
Units
UNITS FOR MODEL PARAMETERS
NE25139
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NE25139-T1 | GENERAL PURPOSE DUAL-GATE GaAS MESFET |
| NE25139T1U71 | GENERAL PURPOSE DUAL-GATE GaAS MESFET |
| NE25139T1U72 | GENERAL PURPOSE DUAL-GATE GaAS MESFET |
| NE25139T1U73 | GENERAL PURPOSE DUAL-GATE GaAS MESFET |
| NE25139T1U74 | GENERAL PURPOSE DUAL-GATE GaAS MESFET |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| NE25139-T1 | 功能描述:MOSFET SOT-143 DL GT MESFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| NE25139T1U71 | 制造商:NEC 制造商全稱:NEC 功能描述:GENERAL PURPOSE DUAL-GATE GaAS MESFET |
| NE25139T1U72 | 制造商:NEC 制造商全稱:NEC 功能描述:GENERAL PURPOSE DUAL-GATE GaAS MESFET |
| NE25139-T1-U72 | 功能描述:MOSFET REORD 551-NE25139 SOT-143 DL GT MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| NE25139T1U73 | 制造商:NEC 制造商全稱:NEC 功能描述:GENERAL PURPOSE DUAL-GATE GaAS MESFET |
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