參數(shù)資料
型號： NDT451AN(J23Z)
廠商： Fairchild Semiconductor Corporation
英文描述： TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 7.2A I(D) | SOT-223
中文描述： 晶體管| MOSFET的| N溝道| 30V的五（巴西）直| 7.2AI（四）|的SOT - 223
文件頁數(shù)： 6/10頁
文件大小： 226K
代理商： NDT451AN(J23Z)
NDT451N Rev. C2
0
2
4
6
8
10
0
2
4
6
8
10
12
I , DRAIN CURRENT (A)
g
TJ
25°C
F
V = 10V
125°C
0.1
0.2
0.5
V , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
1
2
5
10
30
50
0.01
0.05
0.1
0.5
1
5
10
20
40
I
D
10s
1s
100ms
100us
RDS(ON) Limit
10ms
V = 10V
SINGLE PULSE
R = 42 C/W
T = 25°C
Figure 13. Transconductance Variation with Drain
Current and Temperature.
Typical Electrical Characteristics
(continued)
Figure 14. Maximum Safe Operating Area.
Figure 15. Transient Thermal Response Curve
.
Note: Thermal characterization performed using the conditions described in note 1c. Transient thermal response will change
depending on the circuit board design.
0.0001
0.001
0.01
0.1
t , TIME (sec)
1
10
100
300
0.001
0.002
0.005
0.01
0.02
0.05
0.1
0.2
0.5
1
T
r
Single Pulse
D = 0.5
0.1
0.05
0.02
0.01
0.2
Duty Cycle, D = t / t
2
R JA
R JA
T - T = P * R (t)
P(pk)
t
1
t
2
相關PDF資料
PDF描述
NDT452P P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor（-3A，-30V，0.18Ω）(P溝道增強型場效應管（漏電流-3A, 漏源電壓-30V，導通電阻0.18Ω）)
NDT452 P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
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NDT452AP P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor（-5A，-30V，0.065Ω）(P溝道增強型場效應管（漏電流-5A, 漏源電壓-30V，導通電阻0.065Ω）)
NDT453N(J23Z) TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 8A I(D) | SOT-223
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
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