參數(shù)資料
型號： NDT2955(J23Z)
廠商： Fairchild Semiconductor Corporation
英文描述： TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 2.5A I(D) | SOT-223
中文描述： 晶體管| MOSFET的| P通道| 60V的五（巴西）直| 2.5AI（四）|的SOT - 223
文件頁數(shù)： 4/6頁
文件大?。?/td> 92K
代理商： NDT2955(J23Z)
NDT2955 Rev. B2
Typical Electrical Characteristics
Figure 1. On-Region Characteristics.
Figure 2. On-Resistance Variation with Gate Voltage
and Drain Current.
-6
-5
-4
-3
-2
-1
0
-12
-9
-6
-3
0
V , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
I
D
V = -10V
-6.0
-5.0
-4.5
-4.0
-3.5
-8.0
-5.5
-7.0
-15
-12
-9
-6
-3
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
I , DRAIN CURRENT (A)
D
R
D
V = -4.0V
-10
-6.0
-5.0
-7.0
-4.5
-8.0
-5.5
-50
-25
0
T , JUNCTION TEMPERATURE (°C)
25
50
75
100
125
150
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
D
V = -10V
I = -2.5A
R
D
-15
-12
-9
-6
-3
0
0
1
2
3
I , DRAIN CURRENT (A)
D
TJ
25°C
-55°C
V = -10 V
R
D
Figure 3. On-Resistance Variation
with Temperature.
Figure 4. On-Resistance Variation with Drain
Current and Temperature.
Figure 6. Gate Threshold Variation with
Temperature.
-7
-6
-5
-4
-3
-2
-10
-8
-6
-4
-2
0
V , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
I
D
V = -10V
J
25°C
125°C
Figure 5. Drain Current Variation with Gate
Voltage and Temperature
.
-50
-25
0
T , JUNCTION TEMPERATURE (°C)
25
50
75
100
125
150
0.7
0.8
0.9
1
1.1
1.2
G
I = -250μA
V = V
GS
V
t
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PDF描述
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