參數(shù)資料
型號： NDS9956
廠商： Fairchild Semiconductor Corporation
英文描述： Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
中文描述： 雙N溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)晶體管
文件頁數(shù)： 4/10頁
文件大?。?/td> 341K
代理商： NDS9956
NDS9956A.SAM
0
1
2
3
0
5
10
15
20
V , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
I
6.0
5.0
4.5
4.0
3.5
V =10V
D
8.0
3.0
-50
-25
0
T , JUNCTION TEMPERATURE (°C)
25
50
75
100
125
150
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
D
V = 10V
I = 3.7A
R
D
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
0.6
0.7
0.8
0.9
1
1.1
1.2
T , JUNCTION TEMPERATURE (°C)
G
I = 250μA
V = V
GS
V
t
0
3
6
9
12
15
0.5
1
1.5
2
2.5
3
I , DRAIN CURRENT (A)
D
V = 3.5V
R
D
8.0
10
6.0
4.5
5.0
4.0
0
3
6
9
12
15
0.5
1
1.5
2
ID
D
TJ
25°C
V = 10 V
-55°C
R
D
Typical Electrical Characteristics
Figure 1. On-Region Characteristics.
Figure 2. On-Resistance Variation with Gate
Voltage and Drain Current.
Figure 3. On-Resistance Variation with
Temperature.
Figure 4. On-Resistance Variation with Drain
Current and Temperature.
Figure 5. Transfer Characteristics.
Figure 6. Gate Threshold Variation with
Temperature.
1
2
3
4
5
0
2
4
6
8
10
V , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
I
D
25°C
125°C
V = 10V
TJ
相關(guān)PDF資料
PDF描述
NDS9957 Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
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NDT014L N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor（2.8A，60V，0.2Ω）(N溝道邏輯增強(qiáng)型場效應(yīng)管（漏電流2.8A, 漏源電壓60V，導(dǎo)通電阻0.2Ω）)
NDT014 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor（2.7A，60V，0.2Ω）(N溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)管（漏電流2.7A, 漏源電壓60V，導(dǎo)通電阻0.2Ω）)
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參數(shù)描述
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