參數(shù)資料
型號(hào)： NDS9948
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類(lèi)： JFETs
英文描述： Dual P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
中文描述： 2.3 A, 60 V, 0.25 ohm, 2 CHANNEL, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： SOP-8
文件頁(yè)數(shù)： 6/10頁(yè)
文件大小： 342K
代理商： NDS9948
NDS9948.SAM
Figure 13. Transconductance Variation with Drain
Current and Temperature.
Figure 14. Maximum Safe Operating Area.
Typical Electrical Characteristics
(continued)
0.1
0.2
0.5
- V , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
1
2
5
10
60
100
0.01
0.05
0.1
0.5
1
2
5
10
20
-
D
RDS(ON) LIMIT
DC
1ms
10ms
100ms
100us
V = -10V
SINGLE PULSE
R = 100 C/W
T = 25°C
-10
-8
-6
-4
-2
0
0
2
4
6
I , DRAIN CURRENT (A)
g
J
25°C
F
V = -15V
125°C
0.0001
0.001
0.01
0.1
t , TIME (sec)
1
1
10
100
300
0.001
0.002
0.005
0.01
0.02
0.05
0.1
0.2
0.5
1
T
r
Single Pulse
D = 0.5
0.1
0.05
0.02
0.01
0.2
Duty Cycle, D = t / t
2
R (t) = r(t) * R
R = See Note 1c
T - T = P * R (t)
P(pk)
t
1
t
2
Figure 15. Transient Thermal Response Curve
.
Note: Thermal characterization performed using the conditions described in note 1c. Transient thermal response will change
depending on the circuit board design.
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PDF描述
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NDS9956 Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
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參數(shù)描述
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