參數(shù)資料
型號(hào)： NDS9945
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： JFETs
英文描述： Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
中文描述： 3.5 A, 60 V, 0.1 ohm, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： SOIC-8
文件頁(yè)數(shù)： 3/8頁(yè)
文件大小： 209K
代理商： NDS9945
NDS9945 Rev.B
0
1
2
3
4
5
0
5
10
15
20
V , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
I
D
3.5V
3.0V
4.0V
V = 10V
6.0V
4.5V
5.0V
Typical Electrical Characteristics
Figure 1. On-Region Characteristics.
Figure 2. On-Resistance Variation with
Drain Current and Gate Voltage.
-50
-25
0
T , JUNCTION TEMPERATURE (°C)
25
50
75
100
125
150
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
1.8
2
D
R
D
V = 10V
I = 3.5A
Figure 3. On-Resistance Variation With
Temperature.
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
4.5
5
0
2
4
6
8
10
V , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
I
D
V = 5V
J
125°C
25°C
Figure 5 . Transfer Characteristics.
Figure 6. Body Diode Forward Voltage
Variation with Source Current
and Temperature.
2
4
6
8
10
0
0.1
0.2
0.3
0.4
V , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
R
D
I = 2A
T =125°C
T =25°C
Figure 4. On Resistance
Variation with
Gate-to-Source Voltage.
0
2
4
6
8
10
0.75
1
1.25
1.5
1.75
2
2.25
2.5
I , DRAIN CURRENT (A)
D
V = 3.0V
R
D
10V
4.5 V
6.0V
5.0V
4.0 V
3.5 V
0.4
0.6
0.8
1
1.2
0.1
0.2
0.3
0.5
1
2
3
5
10
V , BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)
I
S
25°C
-55°C
V = 0V
J
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PDF描述
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