參數(shù)資料
型號(hào)： NDS9933A
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： JFETs
英文描述： Dual P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
中文描述： 2.8 A, 20 V, 0.14 ohm, 2 CHANNEL, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： SOIC-8
文件頁(yè)數(shù)： 4/8頁(yè)
文件大?。?/td> 191K
代理商： NDS9933A
N
NDS9933A Rev. A
Typical Characteristics
(continued)
Figure 7. Gate-Charge Characteristics.
Figure 8. Capacitance Characteristics.
Figure 9. Maximum Safe Operating Area.
Figure 10. Single Pulse Maximum
Power Dissipation.
Figure 11. Transient Thermal Response Curve.
Thermal characterization performed using the conditions described in Note 1.
Transient themal response will change depending on the circuit board design.
0.0001
0.001
0.01
0.1
t , TIME (sec)
1
10
100
300
0.001
0.002
0.005
0.01
0.02
0.05
0.1
0.2
0.5
1
T
r
Single Pulse
D = 0.5
0.1
0.05
0.02
0.01
0.2
Duty Cycle, D = t /t
2
R (t) = r(t) * R
R = 135°C/W
T - T = P * R JA
P(pk)
t
1
t
2
0
2
4
6
8
0
1
2
3
4
5
Q , GATE CHARGE (nC)
-
G
V = -5V
I = -2.8A
-15V
0.1
0.2
0.5
1
2
5
10
20
20
50
100
200
400
600
1000
-V , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
C
C s
f = 1 MHz
V = 0 V
C ss
C s
0.1
0.2
0.5
1
2
5
10
20
40
0.01
0.05
0.1
0.5
1
2
5
10
20
- V , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
-
RDS(ON) LIMIT
D
A
T = 25°C
DC
1s
100ms
10s
10ms
1ms
V = -4.5V
SINGLE PULSE
R =135°C/W
100
μ
s
0.01
0.1
0.5
10
50 100
300
0
5
10
15
20
25
30
SINGLE PULSE TIME (SEC)
P
SINGLE PULSE
R =135 °C/W
T = 25°C
A
JA
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PDF描述
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