參數(shù)資料
型號： NDS8434
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： Single P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
中文描述： 6500 mA, 20 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
封裝： SOIC-8
文件頁數(shù)： 5/10頁
文件大小： 330K
代理商： NDS8434
NDS8434 Rev. A3
D
S
-V
DD
R
L
V
OUT
V
GS
DUT
V
IN
R
GEN
G
10%
50%
90%
10%
90%
90%
50%
V
IN
V
OUT
on
off
d(off)
f
r
d(on)
t
t
t
t
t
t
INVERTED
10%
PULSE WIDTH
Figure 11. Switching Test Circuit.
Figure 12. Switching Waveforms.
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
0.94
0.96
0.98
1
1.02
1.04
1.06
1.08
T , JUNCTION TEMPERATURE (°C)
D
I = -250μA
B
D
0
0.2
-V , BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)
0.4
0.6
0.8
1
1.2
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
25
-
S
J
25°C
-55°C
V = 0V
Figure 7. Breakdown Voltage
Variation with Temperature.
Figure 8. Body Diode Forward Voltage Variation
with Source Current and
Temperature.
Typical Electrical Characteristics
(continued)
0
10
20
30
40
50
0
1
2
3
4
5
Q , GATE CHARGE (nC)
-
G
I = -6.5A
V = -5.0V
-10V
-15V
0.1
0.2
0.5
1
2
5
10
20
200
300
500
800
1000
2000
4000
5500
-V , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
C
C ss
f = 1 MHz
V = 0V
C ss
C ss
Figure 9. Capacitance Characteristics.
Figure 10. Gate Charge Characteristics.
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