參數(shù)資料
型號(hào)： NDS355AN
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor（1.7A，30V，0.125Ω）(N溝道邏輯增強(qiáng)型MOS場(chǎng)效應(yīng)管（漏電流1.7A, 漏源電壓30V，導(dǎo)通電阻0.125Ω）)
中文描述： 1700 mA, 30 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
封裝： SUPERSOT-3
文件頁(yè)數(shù)： 5/6頁(yè)
文件大?。?/td> 60K
代理商： NDS355AN
NDS355AN Rev.C
Typical Electrical Characteristics
(continued)
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
0.92
0.96
1
1.04
1.08
1.12
T , JUNCTION TEMPERATURE (°C)
D
I = 250μA
B
D
Figure 7. Breakdown Voltage Variation with
Temperature
.
0.1
0.2
0.5
1
2
5
10
20
30
20
40
60
100
200
300
500
V , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
C
C ss
f = 1 MHz
V = 0V
GS
C ss
C ss
Figure 9. Capacitance Characteristics
.
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
5
V , BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)
I
S
J
25°C
-55°C
V = 0V
Figure 8. Body Diode Forward Voltage Variation with
Source Current and Temperature
.
0
2
4
6
8
0
2
4
6
8
10
Q , GATE CHARGE (nC)
V
G
I = 1.6A
10V
15V
V = 5V
DS
Figure 10. Gate Charge Characteristics
.
G
D
S
V
DD
R
L
V
V
IN
OUT
V
GS
DUT
R
GEN
Figure 11. Switching Test Circuit.
Figure 12. Switching Waveforms
.
10%
50%
90%
10%
90%
90%
50%
V
IN
V
OUT
on
off
d(off)
f
r
d(on)
t
t
t
t
t
t
INVERTED
10%
PULSE WIDTH
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PDF描述
NDS355N N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor（1.6A，30V，0.125Ω）(N溝道邏輯增強(qiáng)型MOS場(chǎng)效應(yīng)管（漏電流1.6A, 漏源電壓30V，導(dǎo)通電阻0.125Ω）)
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