參數(shù)資料
型號(hào)： NDS355AN
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor（1.7A，30V，0.125Ω）(N溝道邏輯增強(qiáng)型MOS場(chǎng)效應(yīng)管（漏電流1.7A, 漏源電壓30V，導(dǎo)通電阻0.125Ω）)
中文描述： 1700 mA, 30 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
封裝： SUPERSOT-3
文件頁(yè)數(shù)： 4/6頁(yè)
文件大?。?/td> 60K
代理商： NDS355AN
NDS355AN Rev.C
Figure 1. On-Region Characteristics
.
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
0
2
4
6
8
10
V , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
I
D
3.5
3.0
5.0
V =10V
GS
7.0
4.5
4.0
6.0
Figure 2. On-Resistance Variation
with Drain Current and Gate Voltage
.
0
1
2
3
4
5
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
1.8
2
I , DRAIN CURRENT (A)
D
TJ
25°C
V = 4.5 V
-55°C
R
D
Figure 4. On-Resistance Variation
with Drain Current and Temperature
.
-50
-25
0
T , JUNCTION TEMPERATURE (°C)
25
50
75
100
125
150
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
D
R
D
I
D
= 1.6A
V
GS
= 4.5V
Figure 3. On-Resistance Variation
with Temperature
.
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
0
1
2
3
4
5
V , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
I
D
25°C
125°C
V = 5.0V
J
Figure 5. Transfer Characteristics
.
-50
-25
0
T , JUNCTION TEMPERATURE (°C)
25
50
75
100
125
150
0.6
0.7
0.8
0.9
1
1.1
1.2
G
I = 250μA
V = V
V
t
Figure 6. Gate Threshold Variation
with Temperature
.
0
2
4
6
8
10
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
1.8
2
I , DRAIN CURRENT (A)
D
V = 3.5V
GS
R
D
4.0
6.0
7
5.0
4.5
10
Typical Electrical Characteristics
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PDF描述
NDS355N N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor（1.6A，30V，0.125Ω）(N溝道邏輯增強(qiáng)型MOS場(chǎng)效應(yīng)管（漏電流1.6A, 漏源電壓30V，導(dǎo)通電阻0.125Ω）)
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NDS356 P-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor
NDS356P P-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor（-1.1A，-20V，0.3Ω）(P溝道邏輯增強(qiáng)型MOS場(chǎng)效應(yīng)管（漏電流-1.1A, 漏源電壓-20V，導(dǎo)通電阻0.3Ω）)
NDS7002 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
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