參數(shù)資料
型號(hào)： NDS352P
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： P-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor（-0.85A，-20V，0.5Ω）(P溝道邏輯增強(qiáng)型MOS場(chǎng)效應(yīng)管（漏電流-0.85A, 漏源電壓-20V，導(dǎo)通電阻0.5Ω）)
中文描述： 850 mA, 20 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
封裝： SUPERSOT-3
文件頁數(shù)： 6/6頁
文件大?。?/td> 78K
代理商： NDS352P
NDS352P Rev. F1
-5
-4
-3
-2
-1
0
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
I , DRAIN CURRENT (A)
g
TJ
25°C
F
V = -5V
DS
125°C
0.1
0.2
0.5
1
2
5
10
20
30
0.01
0.05
0.1
0.5
1
2
5
10
20
- V , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
-
D
RDS(ON) LIMIT
V = -10V
SINGLE PULSE
T = 25°C
DC
1 1s
100ms
10ms
100us
1ms
Figure 13. Transconductance Variation with
Drain Current and Temperature
Figure 14. Maximum Safe Operating Area
Typical Electrical Characteristics
(continued)
0.0001
0.001
0.01
0.1
t , TIME (sec)
1
10
100
300
0.001
0.002
0.005
0.01
0.02
0.05
0.1
0.2
0.5
1
T
r
Single Pulse
D = 0.5
0.1
0.05
0.02
0.01
0.2
Duty Cycle, D = t /t
2
R JA
R JA
T - T = P * R (t)
P(pk)
t
1
t
2
Figure 15. Transient Thermal Response Curve
Note : Characterization performed using the conditions described in note 1c. Transient thermal response will
change depending on the circuit board design.
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PDF描述
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NDS356 P-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor
NDS356P P-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor（-1.1A，-20V，0.3Ω）(P溝道邏輯增強(qiáng)型MOS場(chǎng)效應(yīng)管（漏電流-1.1A, 漏源電壓-20V，導(dǎo)通電阻0.3Ω）)
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NDS355AN 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET N SOT-23
NDS355AN 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:N CH MOSFET 30V 1.7A ((NW)) 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:N CH MOSFET, 30V, 1.7A, SUPER SOT-3
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