參數(shù)資料
型號： NDS352P
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： P-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor（-0.85A，-20V，0.5Ω）(P溝道邏輯增強(qiáng)型MOS場效應(yīng)管（漏電流-0.85A, 漏源電壓-20V，導(dǎo)通電阻0.5Ω）)
中文描述： 850 mA, 20 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
封裝： SUPERSOT-3
文件頁數(shù)： 4/6頁
文件大?。?/td> 78K
代理商： NDS352P
NDS352P Rev. F1
-4
-3
-2
-1
V , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
0
-5
-4
-3
-2
-1
0
I
D
V = -10V
-3.0
-3.5
-7.0
-5.0
-4.5
-4.0
-5.5
-5
-4
-3
-2
-1
0
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
1.8
I , DRAIN CURRENT (A)
D
V = -3.5 V
R
D
-4.0
-10
-5.5
-5.0
-4.5
-7.0
Figure 1. On-Region Characteristics
Figure 2. On-Resistance Variation
with Drain Current and Gate Voltage
Typical Electrical Characteristics
-50
-25
0
T , JUNCTION TEMPERATURE (°C)
25
50
75
100
125
150
0.7
0.8
0.9
1
1.1
1.2
1.3
1.4
D
V = -4.5V
I = -0.85A
R
D
-4
-3
-2
-1
0
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
1.8
2
I , DRAIN CURRENT (A)
D
R
D
V = -4.5V
J
25°C
-55°C
Figure 3. On-Resistance Variation
with Temperature
Figure 4. On-Resistance Variation
with Drain Current and Temperature
-6
-5
-4
-3
-2
-1
-5
-4
-3
-2
-1
0
V , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
I
D
25
125
V = -10V
TJ
-50
-25
0
T , JUNCTION TEMPERATURE (°C)
25
50
75
100
125
150
0.8
0.85
0.9
0.95
1
1.05
1.1
1.15
G
I = -250μA
D
V = V
GS
V
t
Figure 5. Transfer Characteristics
Figure 6. Gate Threshold Variation
with Temperature
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PDF描述
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NDS356 P-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor
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