參數(shù)資料
型號： NDS352P
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： P-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor（-0.85A，-20V，0.5Ω）(P溝道邏輯增強(qiáng)型MOS場效應(yīng)管（漏電流-0.85A, 漏源電壓-20V，導(dǎo)通電阻0.5Ω）)
中文描述： 850 mA, 20 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
封裝： SUPERSOT-3
文件頁數(shù)： 5/6頁
文件大?。?/td> 78K
代理商： NDS352P
NDS352P Rev. F1
-50
-25
0
T , JUNCTION TEMPERATURE (°C)
25
50
75
100
125
150
0.9
0.95
1
1.05
1.1
1.15
D
I = -250μA
B
D
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2
2.4
0.01
0.1
0.5
1
5
-V , BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)
-
TJ
25°C
-55°C
V = 0V
S
Figure 7. Breakdown Voltage Variation with
Temperature
Figure 8. Body Diode Forward Voltage Variation with
Source Current and Temperature
Typical Electrical Characteristics
(continued)
0
1
2
3
4
-10
-8
-6
-4
-2
0
Q , GATE CHARGE (nC)
V
G
I = -850m A
V = -5V
-10
0.1
0.2
0.5
1
2
5
10
20
20
30
50
100
200
300
500
-V , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
C
C s
f = 1 MHz
V = 0 V
C ss
C ss
G
D
S
V
DD
R
L
V
V
IN
OUT
V
GS
DUT
R
GEN
10%
50%
90%
10%
90%
90%
50%
V
IN
V
OUT
on
off
d(off)
f
r
d(on)
t
t
t
t
t
t
INVERTED
10%
PULSE WIDTH
Figure 9. Capacitance Characteristics
Figure 10. Gate Charge Characteristics
Figure 11. Switching Test Circuit
Figure 12. Switching Waveforms
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PDF描述
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NDS356 P-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor
NDS356P P-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor（-1.1A，-20V，0.3Ω）(P溝道邏輯增強(qiáng)型MOS場效應(yīng)管（漏電流-1.1A, 漏源電壓-20V，導(dǎo)通電阻0.3Ω）)
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