參數(shù)資料
型號(hào)： NDS0605
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor（-0.18A，-60V，5Ω）(P溝道增強(qiáng)型MOS場(chǎng)效應(yīng)管（漏電流-0.18A, 漏源電壓-60V，導(dǎo)通電阻5Ω）)
中文描述： 180 mA, 60 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
封裝： SOT-23, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 4/5頁(yè)
文件大?。?/td> 62K
代理商： NDS0605
NDS0605.SAM
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
0.9
0.95
1
1.05
1.1
1.15
T , JUNCTION TEMPERATURE (°C)
D
I = -10μA
B
D
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
1.8
0.1
0.2
0.3
0.5
1
1.5
-V , BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)
-
V = 0V
J
25
-55
S
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
-10
-8
-6
-4
-2
0
Q , GATE CHARGE (nC)
V
G
-48
V = -12V
I = -0.5A
-24
0.1
0.2
0.5
-V , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
1
2
5
10
20
30
60
2
3
5
10
20
30
50
70
C
C ss
f = 1 MHz
V = 0V
C ss
C ss
-1.4
-1.2
-1
-0.8
-0.6
-0.4
-0.2
0
0
0.1
0.2
0.3
0.4
I , DRAIN CURRENT (A)
g
TJ
25
F
V = -10V
125
Figure 7. Breakdown Voltage Variation with
Temperature
Figure 8. Body Diode Forward Voltage Variation
with Current and Temperature
Figure 9. Capacitance Characteristics
Figure 10. Gate Charge Characteristics
Figure 11. Transconductance Variation with Drain
Current and Temperature
Typical Electrical Characteristics
(continued)
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PDF描述
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NDS332 P-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor
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NDS0605_Q 功能描述:MOSFET P-Channel FET Enhancement Mode RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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