參數(shù)資料
型號(hào)： NDP4060L
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： JFETs
英文描述： N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor（15A, 650V，0.10Ω）(N溝道邏輯電平增強(qiáng)型MOS場效應(yīng)管（漏電流15A, 漏源電壓60V，導(dǎo)通電阻0.10Ω）)
中文描述： 15 A, 60 V, 0.08 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
封裝： TO-220, 3 PIN
文件頁數(shù)： 6/6頁
文件大?。?/td> 68K
代理商： NDP4060L
NDP4060L Rev. B / NDB4060L Rev. C
0
4
8
12
16
20
0
2
4
6
8
10
12
I , DRAIN CURRENT (A)
g
J
25°C
F
V = 10V
125°C
1
2
5
10
30
50
70
0.5
1
5
10
20
50
70
V , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
I
D
DC
RDS(ON) LIMIT
100us
1ms
10ms
50ms
V = 10V
SINGLE PULSE
R = 3 C/W
T = 25°C
Figure 13. Transconductance Variation with
Drain Current and Temperature
Figure 14. Maximum Safe Operating Area
Figure 15. Transient Thermal Response Curve
Typical Electrical Characteristics
(continued)
0.00005 0.0001
0.0005
0.001
0.005
0.01
0.05
0.1
0.5
1
00.00001
0.02
0.03
0.05
0.1
0.2
0.3
0.5
1
t ,TIME
T
Single Pulse
D = 0.5
0.1
0.05
0.02
0.01
0.2
Duty Cycle, D = t /t
2
R (t) = r(t) * R
R = 3.0 °C/W
T - T = P * R (t)
P(pk)
t
1
t
2
r
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PDF描述
NDB4060L N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor（15A, 60V，0.10Ω）(N溝道邏輯電平增強(qiáng)型MOS場效應(yīng)管（漏電流15A, 漏源電壓60V，導(dǎo)通電阻0.10Ω）)
NDP4060 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor（15A, 60V，0.10Ω）(N溝道增強(qiáng)型MOS場效應(yīng)管（漏電流15A, 漏源電壓60V，導(dǎo)通電阻0.10Ω）)
NDB4060 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor（15A, 60V，0.10Ω）(N溝道增強(qiáng)型MOS場效應(yīng)管（漏電流15A, 漏源電壓60V，導(dǎo)通電阻0.10Ω）)
NDP6030 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
NDP6030L N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor
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參數(shù)描述
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