參數(shù)資料
型號(hào)： NDP4060L
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： JFETs
英文描述： N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor（15A, 650V，0.10Ω）(N溝道邏輯電平增強(qiáng)型MOS場(chǎng)效應(yīng)管（漏電流15A, 漏源電壓60V，導(dǎo)通電阻0.10Ω）)
中文描述： 15 A, 60 V, 0.08 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
封裝： TO-220, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 5/6頁(yè)
文件大?。?/td> 68K
代理商： NDP4060L
NDP4060L Rev. B / NDB4060L Rev. C
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
175
0.9
0.925
0.95
0.975
1
1.025
1.05
1.075
1.1
1.125
1.15
T , JUNCTION TEMPERATURE (°C)
D
I = 250μA
B
D
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
0.001
0.01
0.1
0.5
1
5
10
20
V , BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)
I
TJ
25°C
-55°C
V = 0V
S
0
4
8
12
16
20
0
2
4
6
8
10
Q , GATE CHARGE (nC)
V
G
I = 7.5A
V = 12V
24V
48V
0.1
0.2
0.5
1
2
5
10
20
50
20
50
100
200
500
1000
1500
V , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
C
C ss
f = 1 MHz
V = 0V
C ss
C ss
Figure 7. Breakdown Voltage Variation with
Temperature
Figure 8. Body Diode Forward Voltage Variation
with Current and Temperature
Figure 9. Capacitance Characteristics
Figure 10. Gate Charge Characteristics
Figure 11. Switching Test Circuit
Figure 12. Switching Waveforms
Typical Electrical Characteristics
(continued)
G
D
S
V
DD
R
GS
R
L
V
OUT
V
IN
DUT
R
V
GEN
GEN
10%
50%
90%
10%
90%
90%
50%
V
IN
V
OUT
on
off
d(off)
f
r
d(on)
t
t
t
t
t
t
INVERTED
10%
PULSE W IDTH
相關(guān)PDF資料
PDF描述
NDB4060L N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor（15A, 60V，0.10Ω）(N溝道邏輯電平增強(qiáng)型MOS場(chǎng)效應(yīng)管（漏電流15A, 漏源電壓60V，導(dǎo)通電阻0.10Ω）)
NDP4060 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor（15A, 60V，0.10Ω）(N溝道增強(qiáng)型MOS場(chǎng)效應(yīng)管（漏電流15A, 漏源電壓60V，導(dǎo)通電阻0.10Ω）)
NDB4060 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor（15A, 60V，0.10Ω）(N溝道增強(qiáng)型MOS場(chǎng)效應(yīng)管（漏電流15A, 漏源電壓60V，導(dǎo)通電阻0.10Ω）)
NDP6030 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
NDP6030L N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor
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參數(shù)描述
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