參數(shù)資料
型號： NDP4060
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： JFETs
英文描述： N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor（15A, 60V，0.10Ω）(N溝道增強(qiáng)型MOS場效應(yīng)管（漏電流15A, 漏源電壓60V，導(dǎo)通電阻0.10Ω）)
中文描述： 15 A, 60 V, 0.1 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
封裝： TO-220, 3 PIN
文件頁數(shù)： 5/6頁
文件大?。?/td> 66K
代理商： NDP4060
NDP4060 Rev. C
Figure 7. Breakdown Voltage Variation with
Temperature.
Figure 8. Body Diode Forward Voltage Variation
with Current and Temperature
.
Figure 9. Capacitance Characteristics.
Figure 10. Gate Charge Characteristics.
Typical Electrical Characteristics
(continued)
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
175
0.9
0.95
1
1.05
1.1
1.15
T , JUNCTION TEMPERATURE (°C)
D
I = 250μA
B
D
0.4
0.6
V , BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)
0.8
1
1.2
1.4
0.1
0.2
0.5
1
2
5
10
20
I
S
TJ
25°C
-55°C
V = 0V
0
5
10
15
20
0
5
10
15
20
Q , GATE CHARGE (nC)
V
G
I = 15A
V = 12V
24V
48V
1
2
3
5
10
20
30
60
30
50
100
200
300
500
700
V , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
C
C ss
f = 1 MHz
V = 0V
C ss
C ss
G
D
S
V
DD
R
L
V
V
IN
OUT
V
GS
DUT
R
GEN
Figure 11. Switching Test Circuit.
Figure 12. Switching Waveforms
.
10%
50%
90%
10%
90%
90%
50%
V
IN
V
OUT
on
off
d(off)
f
r
d(on)
t
t
t
t
t
t
INVERTED
10%
PULSE WIDTH
相關(guān)PDF資料
PDF描述
NDB4060 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor（15A, 60V，0.10Ω）(N溝道增強(qiáng)型MOS場效應(yīng)管（漏電流15A, 漏源電壓60V，導(dǎo)通電阻0.10Ω）)
NDP6030 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
NDP6030L N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor
NDP6030PL P-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor
NDB6030 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor（46A,30V，0.018Ω）(N溝道增強(qiáng)型MOS場效應(yīng)管（漏電流46A, 漏源電壓30V，導(dǎo)通電阻0.018Ω）)
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參數(shù)描述
NDP4060 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET TRANSISTOR ROHS COMPLIANT:NO
NDP4060_Q 功能描述:MOSFET N-Channel FET Enhancement Mode RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
NDP4060L 功能描述:MOSFET N-Ch LL FET Enhancement Mode RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
NDP4060L_Q 功能描述:MOSFET N-Ch LL FET Enhancement Mode RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
NDP408 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
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