參數(shù)資料
型號(hào)： NDP4060
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： JFETs
英文描述： N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor（15A, 60V，0.10Ω）(N溝道增強(qiáng)型MOS場效應(yīng)管（漏電流15A, 漏源電壓60V，導(dǎo)通電阻0.10Ω）)
中文描述： 15 A, 60 V, 0.1 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
封裝： TO-220, 3 PIN
文件頁數(shù)： 4/6頁
文件大小： 66K
代理商： NDP4060
NDP4060 Rev. C
Typical Electrical Characteristics
Figure 1. On-Region Characteristics.
Figure 2. On-Resistance Variation with Gate
Voltage and Drain Current.
Figure 3. On-Resistance Variation
with Temperature.
Figure 4. On-Resistance Variation with Drain
Current and Temperature.
Figure 6. Gate Threshold Variation with
Temperature.
Figure 5. Transfer Characteristics.
0
5
10
I , DRAIN CURRENT (A)
15
20
25
30
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
1.8
2
D
R
D
V = 6.0V
9.0
10
7.0
8.0
20
12
0
5
10
I , DRAIN CURRENT (A)
15
20
25
30
0.5
1
1.5
2
2.5
3
D
J
-55°C
V = 10 V
25°C
R
D
2
4
6
8
10
0
5
10
15
20
V , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
I
D
V = 10V
TJ
25°C
125°C
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
175
0.6
0.7
0.8
0.9
1
1.1
1.2
T , JUNCTION TEMPERATURE (°C)
G
I = 250μA
V = V
GS
V
t
0
1
2
3
4
5
0
5
10
15
20
25
30
V , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
I
D
V = 20V
6.0
5.0
7.0
8.0
10
12
9.0
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
175
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
1.8
2
2.2
T , JUNCTION TEMPERATURE (°C)
D
V = 10 V
I = 7.5 A
R
D
相關(guān)PDF資料
PDF描述
NDB4060 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor（15A, 60V，0.10Ω）(N溝道增強(qiáng)型MOS場效應(yīng)管（漏電流15A, 漏源電壓60V，導(dǎo)通電阻0.10Ω）)
NDP6030 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
NDP6030L N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor
NDP6030PL P-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor
NDB6030 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor（46A,30V，0.018Ω）(N溝道增強(qiáng)型MOS場效應(yīng)管（漏電流46A, 漏源電壓30V，導(dǎo)通電阻0.018Ω）)
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參數(shù)描述
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NDP408 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
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