參數(shù)資料
型號(hào)： NDM3001
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： 3 Phase Brushless Motor Driver（+/-2.9A,+/-30V, 2.5W）(三相無刷電機(jī)驅(qū)動(dòng)器（漏電流：+/-2.9A,漏源電壓：+/-30V,功耗： 2.5W）)
中文描述： 2900 mA, 30 V, 6 CHANNEL, N AND P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
封裝： SOIC-16
文件頁數(shù)： 3/12頁
文件大?。?/td> 250K
代理商： NDM3001
Electrical Characteristics
(T
A
= 25°C unless otherwise noted)
Symbol
Parameter
Conditions
Type
Min
Typ
Max
Units
SWITCHING CHARACTERISTICS
(Note 3)
t
D(on)
Turn - On Delay Time
Q1, Q3, Q5
V
DD
= -15 V, I
D
= -1 A,
V
GEN
= -10 V, R
GEN
= 6
Q2, Q4, Q6
V
DD
= 15 V, I
D
= 1 A,
V
GEN
= 10 V, R
GEN
= 6
Q1, Q3, Q5
10
40
ns
Q2, Q4, Q6
9
40
t
r
Turn - On Rise Time
Q1, Q3, Q5
13
40
ns
Q2, Q4, Q6
21
40
t
D(off)
Turn - Off Delay Time
Q1, Q3, Q5
21
90
ns
Q2, Q4, Q6
21
90
t
f
Turn - Off Fall Time
Q1, Q3, Q5
5
50
ns
Q2, Q4, Q6
8
50
Q
g
Total Gate Charge
Q1, Q3, Q5
V
= -10 V,
I
D
= -3.0 A, V
GS
= -10 V
Q2, Q4, Q6
V
= 10 V,
I
D
= 3.0 A, V
GS
= 10 V
Q1, Q3, Q5
10
25
nC
Q2, Q4, Q6
9.5
25
Q
gs
Gate-Source Charge
Q1, Q3, Q5
1.6
nC
Q2, Q4, Q6
1.5
Q
gd
Gate-Drain Charge
Q1, Q3, Q5
3
nC
Q2, Q4, Q6
2.5
DRAIN-SOURCE DIODE CHARACTERISTICS AND MAXIMUM RATINGS
I
S
Maximum Continuous Drain-Source Diode Forward Current
Q1, Q3, Q5
-1.2
A
Q2, Q4, Q6
1.2
V
SD
Drain-Source Diode Forward
Voltage
V
GS
= 0 V, I
S
= -3.0 A
(Note 3)
V
GS
= 0 V, I
S
= 3.0 A
(Note 3)
V
GS
= 0 V, I
= ±3.0 A,
dI
F
/dt = 100 A/μs
Q1, Q3, Q5
-0.8
-1.3
V
Q2, Q4, Q6
0.8
1.3
t
rr
Reverse Recovery Time
All
100
ns
Notes:
1. R
θ
JA
is the sum of the junction-to-case and case-to-ambient thermal resistance where the case thermal reference is defined as the solder mounting surface of the drain pins. R
θ
JC
is guaranteed by
design while R
θ
CA
is determined by the user's board design.
P
D
(
t
) =
T
J
T
A
R
θ
J A
(
t
)
=
T
J
T
A
R
θ
J C
+
R
θ
CA
(
t
)
=
I
D
2
(
t
)×
R
DS
(
ON
)
T
J
Typical R
θ
JA
using the board layouts shown below on 4.5"x5" FR-4 PCB in a still air environment:
a. 50
o
C/W when mounted on a 1 in
2
pad of 2oz cpper.
b. 80
o
C/W when mounted on a 0.027 in
2
pad of 2oz cpper.
c. 90
1a
o
C/W when mounted on a 0.0028 in
2
pad of 2oz cpper.
Scale 1 : 1 on letter size paper
2. Pulse Test: Pulse Width < 300μs, Duty Cycle < 2.0%.
NDM3001 Rev. C
1b
1c
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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NDB4050L N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor（15A, 50V，0.10Ω）(N溝道邏輯電平增強(qiáng)型MOS場(chǎng)效應(yīng)管（漏電流15A, 漏源電壓50V，導(dǎo)通電阻0.10Ω）)
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NDB4050 0 OHM 1% 1/20W SMT (0402) CHIP RES
NDP4060L N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor（15A, 650V，0.10Ω）(N溝道邏輯電平增強(qiáng)型MOS場(chǎng)效應(yīng)管（漏電流15A, 漏源電壓60V，導(dǎo)通電阻0.10Ω）)
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參數(shù)描述
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NDM-9SH-001 制造商:ITT Interconnect Solutions 功能描述:NDM-9SH-001 - Bulk
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